BS84B08C是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用SOT-23封装,具有小体积、高效率和低导通电阻的特点,适合在紧凑型设计中使用。
该MOSFET通过栅极电压控制源漏极之间的电流流动,其工作原理基于耗尽区的变化来调节导通状态。由于其较低的导通电阻和较快的开关速度,BS84B08C成为众多便携式设备的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
持续漏极电流:0.76A
导通电阻:1.5Ω(典型值,Vgs=10V)
总功耗:410mW
结温范围:-55℃至+150℃
BS84B08C具备以下显著特性:
1. 小型SOT-23封装,适合空间受限的应用场景。
2. 低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 高开关速度,支持高频应用。
4. 较宽的工作温度范围,确保在极端条件下稳定运行。
5. 栅极阈值电压低,便于与低压逻辑电路兼容。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
BS84B08C适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电池保护和管理电路。
4. 便携式设备中的负载开关。
5. 信号切换和隔离。
6. 电机驱动和小型家电控制。
7. 照明应用,如LED驱动电路。
AO3400A
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