BS84B08C 时间：2025/7/2 9:52:07 阅读：27

BS84B08C是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用SOT-23封装，具有小体积、高效率和低导通电阻的特点，适合在紧凑型设计中使用。
　　该MOSFET通过栅极电压控制源漏极之间的电流流动，其工作原理基于耗尽区的变化来调节导通状态。由于其较低的导通电阻和较快的开关速度，BS84B08C成为众多便携式设备的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±12V
　　持续漏极电流：0.76A
　　导通电阻：1.5Ω（典型值，Vgs=10V）
　　总功耗：410mW
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

BS84B08C具备以下显著特性：
　　1. 小型SOT-23封装，适合空间受限的应用场景。
　　2. 低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　3. 高开关速度，支持高频应用。
　　4. 较宽的工作温度范围，确保在极端条件下稳定运行。
　　5. 栅极阈值电压低，便于与低压逻辑电路兼容。
　　6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。

应用

BS84B08C适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. 直流-直流转换器中的功率开关。
　　3. 电池保护和管理电路。
　　4. 便携式设备中的负载开关。
　　5. 信号切换和隔离。
　　6. 电机驱动和小型家电控制。
　　7. 照明应用，如LED驱动电路。