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BS84B08C 发布时间 时间:2025/7/2 9:52:07 查看 阅读:12

BS84B08C是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用SOT-23封装,具有小体积、高效率和低导通电阻的特点,适合在紧凑型设计中使用。
  该MOSFET通过栅极电压控制源漏极之间的电流流动,其工作原理基于耗尽区的变化来调节导通状态。由于其较低的导通电阻和较快的开关速度,BS84B08C成为众多便携式设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  持续漏极电流:0.76A
  导通电阻:1.5Ω(典型值,Vgs=10V)
  总功耗:410mW
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

BS84B08C具备以下显著特性:
  1. 小型SOT-23封装,适合空间受限的应用场景。
  2. 低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 高开关速度,支持高频应用。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在极端条件下稳定运行。
  5. 栅极阈值电压低,便于与低压逻辑电路兼容。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

BS84B08C适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流-直流转换器中的功率开关。
  3. 电池保护和管理电路。
  4. 便携式设备中的负载开关。
  5. 信号切换和隔离。
  6. 电机驱动和小型家电控制。
  7. 照明应用,如LED驱动电路。

替代型号

AO3400A
  IRLML6401
  FDD8424H

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