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BS730S 发布时间 时间:2025/12/24 4:24:50 查看 阅读:20

BS730S是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  BS730S适用于中小功率应用场合,其出色的电气特性和稳定性使其成为许多设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):0.09Ω
  总功耗:1.2W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高电流处理能力,支持高达8A的持续漏极电流。
  2. 极低的导通电阻,典型值仅为0.09Ω,有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关性能,适合高频应用。
  4. 强大的雪崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 小型化TO-252封装,便于PCB布局及散热设计。
  6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. LED驱动器中的电流控制元件。
  6. 电池管理系统中的充放电控制开关。

替代型号

IRF540N
  AO3400
  FQP17N06

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