BS3500N 时间：2025/8/20 4:23:19 阅读：17

BS3500N是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等高电流应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻、高电流容量和快速开关特性，适合高频开关电源设计。BS3500N具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子及汽车电子等多个领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤5.8mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

BS3500N具备多项优异性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于高功率密度设计。
　　其次，该MOSFET具有高达80A的连续漏极电流能力，能够承受较大的负载电流，满足大功率应用的需求。
　　此外，BS3500N的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　该器件还具备良好的栅极电荷特性，有助于实现快速开关动作，从而降低开关损耗，提高系统效率。
　　在可靠性方面，BS3500N通过了严格的工业标准测试，具备良好的抗静电能力和热稳定性，能够在恶劣环境中稳定工作。
　　最后，该MOSFET具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于多种工作环境，包括高温工业应用和低温启动场景。

应用

BS3500N广泛应用于各类电力电子系统中，例如：同步整流DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电源分配系统、电机驱动器、LED照明驱动电源、服务器电源模块、笔记本电脑适配器以及汽车电子中的电源管理模块。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，BS3500N特别适用于需要高效率和高可靠性的电源设计。
　　同时，其快速开关特性和良好的热稳定性也使其成为高频开关电源和同步整流电路中的理想选择。
　　在工业自动化控制、UPS不间断电源、储能系统以及光伏逆变器等领域，BS3500N也具备广泛的应用前景。