时间：2025/12/28 21:08:01
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BS2F7VZ0184 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较高的开关频率下工作，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。BS2F7VZ0184 通常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：18A（连续）
导通电阻 Rds(on)：5.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功率耗散：38W
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BS2F7VZ0184 具有优异的导通性能和开关性能，适用于高效率和高功率密度的电源系统。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该 MOSFET 的 TO-252 封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如 10V 栅极电压即可实现充分导通），同时具备较强的抗过载能力和热稳定性。此外，BS2F7VZ0184 在高温环境下仍能保持稳定的性能，适合用于要求高可靠性的工业和汽车电子应用。
其结构设计优化了开关损耗，使得该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效降低系统整体功耗。同时，该 MOSFET 具有良好的雪崩耐受能力，提高了在高能脉冲环境下的稳定性和耐用性。
BS2F7VZ0184 常用于各类高效率电源系统中，如同步整流型 DC-DC 转换器、降压（Buck）和升压（Boost）变换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子设备中的功率控制模块。此外，它也适用于服务器电源、通信设备电源和工业自动化设备中的功率开关应用。
SiR142DP-T1-GE3, IPB018N06N3GATMA1, FDS6680, IRFZ44N
