BS2F7HZ7395是一款由ROHM(罗姆)半导体公司制造的功率晶体管,主要用于需要高稳定性和高效率的电源管理应用中。这款晶体管基于先进的硅技术,具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于各种电子设备的功率转换模块。BS2F7HZ7395通常用于DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动以及电池充电系统中,能够提供可靠的性能和较长的使用寿命。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):约7.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
功率耗散(Pd):50W
频率响应:适用于高频开关应用
BS2F7HZ7395是一款性能优异的功率MOSFET,其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热管理性能。该器件采用了ROHM先进的沟槽式MOSFET结构,从而在保持小型化的同时实现了较低的Rds(on),这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外,BS2F7HZ7395具有较高的雪崩耐量,能够在极端工作条件下保持稳定运行。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热能力,还便于在PCB上安装和焊接。
该晶体管的栅极驱动设计优化,使得其在高频开关应用中表现出色,适用于需要快速开关的电源拓扑结构,如同步整流器和PWM控制器。BS2F7HZ7395还具有良好的抗干扰能力,能够有效防止因电压尖峰和电流突变引起的误动作。此外,其宽广的工作温度范围使其适用于严苛的工业和汽车电子环境。
BS2F7HZ7395广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。具体来说,它常用于DC-DC转换器中的高侧或低侧开关,以实现高效的能量转换。在AC-DC电源中,该器件可用于PFC(功率因数校正)电路,提高电源的输入功率因数并减少谐波失真。此外,BS2F7HZ7395还可用于电机驱动器、LED照明驱动器以及电池充电设备中,提供稳定可靠的功率控制解决方案。
在汽车电子领域,BS2F7HZ7395适用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车身控制模块等应用。由于其高可靠性和宽工作温度范围,该器件也适合在工业自动化控制系统和智能电网设备中使用。
RJK6014DPA、SiRA14R