时间：2025/12/29 13:53:06
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BS170_D26Z 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电路和功率控制应用。该器件采用小型DFN（Dual Flat No-leads）封装，具备优良的热性能和空间效率，适合紧凑型设计。BS170_D26Z 以其低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和高可靠性著称，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100 mA
最大漏源电压（VDS）：60 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
功率耗散（PD）：300 mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN（D26Z）
BS170_D26Z MOSFET具有多项优异的电气和机械特性。其低导通电阻确保了在导通状态下的能量损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。该器件具备高栅极绝缘强度，栅源电压容限为±20V，能够有效防止因栅极电压过高而造成的损坏。此外，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高响应速度。
在封装方面，BS170_D26Z采用DFN（无引脚双列扁平封装）技术，具有良好的热传导性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。封装尺寸小巧，适合应用于空间受限的设计，如便携式电子设备和嵌入式系统。该器件还具备良好的抗静电（ESD）能力和热稳定性，确保在复杂电磁环境下的可靠运行。
从制造工艺来看，BS170_D26Z采用先进的硅工艺技术，保证了器件的一致性和长期稳定性。其电气参数经过严格测试，能够在宽温度范围内保持稳定的性能，适用于工业级和汽车级应用需求。
BS170_D26Z MOSFET适用于多种电子系统的功率控制和开关应用。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理电路中，提供高效的能量传输和精确的电流控制。在消费类电子产品中，该器件可用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块，以实现紧凑设计和低功耗运行。
工业自动化设备中，BS170_D26Z可用于驱动继电器、LED照明系统以及小型电机控制电路。由于其快速开关特性，特别适合用于高频PWM（脉宽调制）控制，以实现精确的功率调节。此外，在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车身控制模块、车载充电系统以及LED车灯驱动电路，满足汽车级工作温度和可靠性要求。
在通信设备中，BS170_D26Z也可用于电源管理、信号路由和隔离控制电路，确保系统在高频率和高效率下的稳定运行。
2N7000, BSS138, FDV301N
