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BS170FTC 发布时间 时间:2025/7/17 19:39:49 查看 阅读:11

BS170FTC 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、开关电路和负载控制等领域。这款器件采用小型封装设计,具备良好的热性能和高可靠性,适用于需要高效能与低功耗的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):500mA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  导通电阻(RDS(on)):约3.5Ω @ VGS=10V
  功率耗散:300mW

特性

BS170FTC 的主要特点包括其高耐压性和稳定的电气性能。该器件具有相对较低的导通电阻,在标准工作条件下能够实现高效的功率传输。此外,BS170FTC 采用了坚固的设计结构,使其在高温环境下仍能保持稳定运行。其封装形式有助于散热,并确保在紧凑布局中保持良好的热管理。
  这款 MOSFET 还具备快速开关能力,适用于高频应用。由于其栅极驱动要求较低,因此可以与多种控制器或微处理器兼容,简化了外围电路的设计。BS170FTC 的封装尺寸较小,适合在空间受限的 PCB 设计中使用,同时保持较高的耐用性和长期稳定性。

应用

BS170FTC 常用于各种电子设备中,如便携式电池供电系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及 LED 照明控制系统。它也常被用作逻辑电平转换器或作为保护电路中的关键元件。此外,该 MOSFET 可应用于通信设备、工业自动化装置及消费类电子产品中,以实现高效、可靠的电源管理和信号控制功能。

替代型号

2N7002K, BSS138, FDN340P

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BS170FTC参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C150mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 10V
  • 功率 - 最大330mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)