类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：500mA（@25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：2A
　　功耗PD：800mW
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻RDS(on)：约5.5Ω（@VGS=10V, ID=100mA）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V（@ID=1mA）
　　输入电容Ciss：约25pF（@VDS=10V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：约10pF
　　反向传输电容Crss：约3pF
　　栅极电荷Qg：约3nC（@VDS=20V, ID=250mA）
　　体二极管反向恢复时间trr：约16ns

BS170F的核心特性之一是其低阈值电压，通常在1.0V至2.5V之间，这使得它能够直接由3.3V或甚至更低的逻辑电平（如2.5V或1.8V）驱动，无需额外的电平转换电路。这一特性极大地简化了数字控制系统中的功率开关设计，特别适用于微控制器输出引脚直接驱动的小功率负载控制。由于其为电压控制型器件，栅极几乎不吸取电流，因此对驱动电路的负载极小，有助于降低整体系统的功耗。
　　另一个关键特性是其快速的开关速度。得益于较小的寄生电容和优化的芯片结构，BS170F可以在高频条件下实现快速的导通与关断，适用于脉宽调制（PWM）控制等需要高速响应的应用场景。其输入电容Ciss约为25pF，在低电流驱动条件下也能实现较快的上升和下降时间，从而减少开关过程中的能量损耗，提高系统效率。
　　该器件的导通电阻RDS(on)在典型工作条件下约为5.5Ω，虽然相较于一些大功率MOSFET偏高，但对于其额定电流等级（500mA）而言已经足够低，能够在大多数低功耗应用中保持较低的导通压降和发热。同时，SOT-23封装具备良好的热传导性能，配合适当的PCB布局可有效散热，延长器件寿命。
　　BS170F还具备较强的耐压能力，60V的漏源击穿电压使其能够安全应用于多种直流电源系统，包括12V和24V工业控制电路。此外，其体二极管具有相对较短的反向恢复时间（约16ns），在感性负载切换时能有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）的影响。综合来看，BS170F是一款性能均衡、可靠性高的小信号MOSFET，适用于多种通用开关任务。

BS170F广泛应用于各类低功率电子系统中，作为高效的电子开关使用。常见应用场景包括微控制器驱动的负载开关，例如控制LED指示灯、小型继电器、蜂鸣器或其他外围设备的通断。由于其可以直接由GPIO引脚驱动，因此在嵌入式系统设计中极为便利，避免了使用三极管驱动所需的基极限流电阻和额外功耗。
　　在电源管理系统中，BS170F可用于电池供电设备的电源路径控制，实现电池与主电源之间的切换或负载的软启动功能。其低静态功耗特性有助于延长便携设备的续航时间。此外，该器件也常用于模拟信号切换电路，如音频或传感器信号的选择与路由，利用其低导通电阻和高输入阻抗实现信号完整性保护。
　　在数字逻辑接口扩展方面，BS170F可作为电平转换器的一部分，用于连接不同电压域的IC之间通信，例如将3.3V逻辑信号控制5V侧的负载。其简单的连接方式和高可靠性使其成为许多设计师的首选器件。
　　工业自动化和消费类电子产品中，BS170F也被用于电机驱动电路中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的相位导通。尽管其电流承载能力有限，但在轻载条件下仍能胜任基本的驱动任务。此外，该器件还可用于过流保护电路、热插拔控制以及各种隔离开关应用，展现出良好的通用性和适应性。

2N7002K
　　MMBF170
　　FDS6679A
　　BSS138