时间：2025/5/23 16:34:58
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BS170是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中。它具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适合于开关电源、脉宽调制（PWM）控制器以及音频功率放大器等应用。
该器件采用TO-92封装形式，体积小巧，便于安装和使用。由于其出色的电气性能和较低的成本，BS170成为许多低电压、小电流应用中的理想选择。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.5A
最大功耗：370mW
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：5nC
工作温度范围：-55℃至+150℃
BS170具有以下主要特性：
1. N沟道增强型MOSFET结构，提供高效的开关功能。
2. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速的开关速度，适用于高频应用环境。
4. 较高的栅极阈值电压稳定性，确保了可靠的控制能力。
5. 小巧的TO-92封装设计，节省空间且易于集成到各种电路板中。
6. 宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件下的使用需求。
BS170常用于以下领域：
1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
2. 脉宽调制（PWM）控制器中的驱动元件。
3. 音频功率放大器中的输出级开关。
4. 各种电池供电设备中的负载开关。
5. 信号切换与隔离电路中的关键组件。
6. 小功率电机驱动及保护电路中的核心部件。
2N7000, BSS138, FDN340P
