BS108ZL1 时间：2025/7/22 11:49:46 阅读：8

BS108ZL1是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。BS108ZL1通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制以及其他高效率电源应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：持续8A（25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大32mΩ（Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT23-6
　　功率耗散(Pd)：1.6W
　　漏极电容(Coss)：约450pF
　　栅极电荷(Qg)：约11nC

特性

BS108ZL1采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了能效。其SOT23-6小型封装形式使得该器件非常适合在空间受限的电路板设计中使用。此外，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和同步整流器。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至20V的栅源电压，适用于多种控制电路。同时，BS108ZL1具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定工作，具备较强的过温耐受能力。
　　此外，BS108ZL1还具备较低的栅极电荷（Qg）和漏极电容（Coss），这使得开关损耗更低，从而进一步提高整体系统效率。这种特性使其在电池供电设备、便携式电子产品、LED驱动器和电源管理系统中具有良好的应用前景。

应用

BS108ZL1广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。由于其低导通电阻和高效率特性，它也常用于电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器、电源管理IC（PMIC）外围电路以及嵌入式系统的电源控制部分。
　　在便携式电子设备中，BS108ZL1可用于高效能电源开关，以减少能量损耗并延长电池续航时间。此外，该器件也适用于工业自动化控制、智能电表、物联网（IoT）设备和通信设备中的电源管理模块。