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BS108ZL1 发布时间 时间:2025/7/22 11:49:46 查看 阅读:5

BS108ZL1是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗,提高系统效率。BS108ZL1通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制以及其他高效率电源应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):持续8A(25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大32mΩ(Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT23-6
  功率耗散(Pd):1.6W
  漏极电容(Coss):约450pF
  栅极电荷(Qg):约11nC

特性

BS108ZL1采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有非常低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了能效。其SOT23-6小型封装形式使得该器件非常适合在空间受限的电路板设计中使用。此外,该MOSFET具有较高的开关速度,适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器和同步整流器。
  该器件的栅极驱动电压范围宽,支持4.5V至20V的栅源电压,适用于多种控制电路。同时,BS108ZL1具备良好的热稳定性,在高负载条件下仍能保持稳定工作,具备较强的过温耐受能力。
  此外,BS108ZL1还具备较低的栅极电荷(Qg)和漏极电容(Coss),这使得开关损耗更低,从而进一步提高整体系统效率。这种特性使其在电池供电设备、便携式电子产品、LED驱动器和电源管理系统中具有良好的应用前景。

应用

BS108ZL1广泛应用于各种电源管理系统,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。由于其低导通电阻和高效率特性,它也常用于电池管理系统(BMS)、LED照明驱动器、电源管理IC(PMIC)外围电路以及嵌入式系统的电源控制部分。
  在便携式电子设备中,BS108ZL1可用于高效能电源开关,以减少能量损耗并延长电池续航时间。此外,该器件也适用于工业自动化控制、智能电表、物联网(IoT)设备和通信设备中的电源管理模块。

替代型号

SI2302DS, AO3400A, FDS6675, NDS351AN, FDC6303

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BS108ZL1参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压200 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流250 mA
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)8 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92
  • 封装Ammo
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.33 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散0.35 W
  • 工厂包装数量2000