型号：BS0080M
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.0mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V～4.0V
　　输入电容（Ciss）：1800pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：550pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：110pF（@Vds=25V）
　　栅极电荷（Qg）：22nC（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W（@Ta=25℃）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：SOP-8

BS0080M采用先进的沟槽栅极技术和场板结构设计，显著降低了导通电阻与寄生电容之间的折衷关系，从而实现了极低的Rds(on)值，这使其在大电流应用中能够有效减少导通损耗，提升系统整体能效。该器件在Vgs=10V条件下，典型Rds(on)仅为8.0mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下仍可保持10.5mΩ的低阻状态，展现出优异的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合。此外，其高达8A的连续漏极电流承载能力，配合出色的热稳定性，使BS0080M能够在紧凑型电源模块中长期稳定运行。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=22nC），有助于降低开关过程中的驱动损耗，提高开关频率下的效率表现，尤其适用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。同时，输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）均经过优化，有助于抑制开关噪声并减少电压尖峰，提升系统的EMI性能。器件还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，增强了在瞬态负载变化或短路情况下的鲁棒性。
　　BS0080M的SOP-8封装不仅节省PCB空间，而且通过暴露焊盘设计增强了散热能力，允许在不增加额外散热器的情况下实现有效的热管理。其工作结温可达+150℃，确保在高温环境下仍能可靠工作。此外，产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和高压蒸煮试验（PCT），保证了长期使用的稳定性与安全性。整体而言，BS0080M是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适合对效率、尺寸和可靠性均有较高要求的应用场景。

BS0080M广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，典型用途包括同步降压变换器（Buck Converter）中的主开关管或同步整流管，尤其适用于笔记本电脑、机顶盒、网络通信设备等所需的多相VRM（电压调节模块）设计。在DC-DC电源模块中，其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率，减少发热，延长设备使用寿命。
　　该器件也常用于电机驱动电路，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动，凭借其高电流承载能力和快速响应能力，能够实现精确的转速与方向控制。此外，在电池供电的便携式设备（如移动电源、电动工具、智能家居设备）中，BS0080M可用作负载开关或电池保护电路中的通断控制元件，有效防止过流与短路故障。
　　在LED照明驱动电源中，BS0080M可用于初级侧开关或次级侧同步整流，提升光效并降低能耗。其SOP-8封装便于自动化贴片生产，适用于大规模批量制造。同时，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、工业PLC模块及各类AC-DC适配器中，作为核心功率开关元件发挥关键作用。得益于其宽泛的工作温度范围与高可靠性，BS0080M也能适应较为严苛的工业环境应用需求。

SI4410DY
　　IRF7473PBF
　　AO3406A