您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BRT12F

BRT12F 发布时间 时间:2025/7/18 20:17:24 查看 阅读:14

BRT12F 是一款由罗姆(Rohm)公司生产的N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效率和高功率密度的应用。该器件采用先进的工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):12V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):1.2A
  导通电阻(Rds(on)):典型值150mΩ(@Vgs=4.5V)
  功耗(Pd):1.2W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23

特性

BRT12F 具备多项优良特性,使其在低电压功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻可以显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具有快速开关特性,支持高频操作,适合用于DC-DC转换器、负载开关等场合。
  此外,BRT12F 采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。该封装还具备良好的散热性能,确保器件在高电流条件下稳定工作。
  其栅极驱动电压范围宽广(支持4.5V至12V),兼容多种驱动电路设计,增强了应用灵活性。同时,该器件具有较高的耐用性和可靠性,适用于消费类电子、工业控制和汽车电子等多个领域。

应用

BRT12F 常用于需要低电压功率管理的场合,例如便携式电子设备的电源开关、小型电机驱动电路、LED照明控制、电池管理系统(BMS)以及DC-DC转换器等。此外,由于其优异的开关性能和低功耗特性,也适用于高性能电源管理和节能控制系统。

替代型号

Si2302DS, FDN302P, BSS138K

BRT12F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BRT12F参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类三极与 SCR 输出光电耦合器
  • 输出设备PhotoTriac
  • 绝缘电压5300 Vrms
  • 峰值输出电压 (Vdrm)600 V
  • 最大输入电压1.35 V
  • 最大输出电压420 VAC
  • 最小触发电流1.2 mA
  • 正向电流10 mA
  • 正向电压1.1 V
  • 最大连续输出电流300 mA
  • 最大工作温度+ 100 C
  • 最大反向二极管电压6 V
  • 最小工作温度- 40 C
  • 每芯片的通道数量1
  • 输出类型AC
  • 封装 / 箱体PDIP-6
  • 功率耗散630 mW
  • 工厂包装数量2000
  • 零交叉电路No