BRT12F 是一款由罗姆(Rohm)公司生产的N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效率和高功率密度的应用。该器件采用先进的工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):12V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):1.2A
导通电阻(Rds(on)):典型值150mΩ(@Vgs=4.5V)
功耗(Pd):1.2W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
BRT12F 具备多项优良特性,使其在低电压功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻可以显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具有快速开关特性,支持高频操作,适合用于DC-DC转换器、负载开关等场合。
此外,BRT12F 采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。该封装还具备良好的散热性能,确保器件在高电流条件下稳定工作。
其栅极驱动电压范围宽广(支持4.5V至12V),兼容多种驱动电路设计,增强了应用灵活性。同时,该器件具有较高的耐用性和可靠性,适用于消费类电子、工业控制和汽车电子等多个领域。
BRT12F 常用于需要低电压功率管理的场合,例如便携式电子设备的电源开关、小型电机驱动电路、LED照明控制、电池管理系统(BMS)以及DC-DC转换器等。此外,由于其优异的开关性能和低功耗特性,也适用于高性能电源管理和节能控制系统。
Si2302DS, FDN302P, BSS138K