BRD1160C-TL 是一款由 Diodes Incorporated 推出的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管系列。这款晶体管设计用于高频率放大和开关应用,具备良好的稳定性和可靠性,适用于消费类电子、工业控制和通信设备等领域。BRD1160C-TL 采用 SOT-23 封装,便于表面贴装,符合 RoHS 环保标准。
类型:NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极-基极电压(VCBO):50V
发射极-基极电压(VEBO):5V
集电极电流(IC):100mA
功率耗散(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
BRD1160C-TL 晶体管具备优良的高频特性,适合用于射频(RF)和中频(IF)放大器设计。其最大集电极电流为 100mA,支持中等功率的开关应用。晶体管的增益带宽积(fT)高达 100MHz,确保在高频环境下仍能保持良好的放大性能。此外,该器件具有低饱和压降(VCE(sat)),在导通状态下功耗较低,有助于提高电路效率。
该晶体管采用先进的硅外延平面工艺制造,确保了器件的高稳定性和长寿命。SOT-23 小型封装不仅节省空间,还便于自动化生产和组装。BRD1160C-TL 的引脚排列清晰,便于 PCB 布局和焊接。
从电气特性来看,BRD1160C-TL 的集电极-发射极击穿电压为 50V,能够承受一定的电压波动,适用于多种电源条件下的电路设计。其最大功率耗散为 300mW,适合用于低功耗电子设备中。此外,晶体管的热阻较低,能够在较高温度环境下稳定工作。
BRD1160C-TL 主要应用于高频放大器、射频(RF)模块、音频放大电路、开关电路、逻辑门电路以及传感器接口电路等场景。在消费类电子产品中,如无线耳机、智能手表、蓝牙模块等设备中,该晶体管可用于信号放大和电源管理。在工业控制系统中,BRD1160C-TL 可用于驱动继电器、LED 显示屏和小型电机等负载。此外,该晶体管也适用于通信设备中的射频信号处理模块,确保信号传输的稳定性和可靠性。
BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904