时间:2025/11/8 10:04:35
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BR93LC56FV-WE2是一款由Rohm(罗姆)公司生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用8引脚表面贴装小型封装(SOP或TSSOP),适用于需要非易失性数据存储的多种电子应用。该芯片通过简单的三线制或四线制串行接口(通常为Microwire协议,即CS、SK、DI/DO或单独的DI和DO)进行通信,允许在系统运行过程中对存储的数据进行读写操作,并在断电后保持数据不丢失。BR93LC56FV-WE2的存储容量为2K位(128 x 16位组织结构),支持自定时写周期和页写功能,提高了写入效率。该器件内置了高可靠性存储单元,具备长达40年以上的数据保存能力,并支持高达1百万次的擦写寿命,适合长期运行且频繁更新数据的应用场景。工作电压范围通常为2.5V至5.5V,使其能够兼容广泛的数字系统,包括3.3V和5V逻辑系统。此外,该芯片集成了写保护功能,可通过硬件(WP引脚)或软件命令防止意外写入,确保关键数据的安全性。
型号:BR93LC56FV-WE2
制造商:Rohm
存储容量:2K位(128 x 16)
接口类型:Microwire(3线或4线串行)
工作电压:2.5V ~ 5.5V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:8-SOP(Small Outline Package)
写保护功能:支持硬件(WP引脚)与软件写保护
写入耐久性:1,000,000次擦写周期
数据保留时间:40年以上
时钟频率:最大1MHz(典型值)
组织结构:128 x 16-bit
编程方式:在线串行编程
BR93LC56FV-WE2具备多项先进特性,确保其在各种工业和消费类电子产品中的稳定性和可靠性。首先,其采用的Microwire串行接口协议具有简单、高效的特点,仅需少量I/O引脚即可实现与微控制器的通信,非常适合引脚资源紧张的嵌入式系统设计。该接口支持指令集包括READ(读取)、WRITE(写入)、WRAL(全部写入)、ERAL(全部擦除)以及WRSR(写状态寄存器)等,提供了灵活的数据管理能力。其次,该芯片支持页写操作,允许一次向多个连续地址写入数据,显著提升了批量数据写入的效率,同时内部自动定时电路控制写入周期,无需外部延时控制,简化了系统软件设计。
另一个重要特性是其高可靠性的非易失性存储技术。BR93LC56FV-WE2基于CMOS EEPROM工艺制造,具备优异的抗干扰能力和长期数据保持性能。在正常工作条件下,数据可保存超过40年,即使在高温或潮湿环境下也能维持稳定性。其写入寿命高达100万次,远超一般应用场景的需求,特别适用于需要频繁记录传感器数据、校准参数或用户配置信息的设备。
此外,该器件集成了多重写保护机制。除了可以通过外部连接的WP(Write Protect)引脚实现硬件级写保护外,还可以通过设置状态寄存器中的写保护位来启用软件保护。这种双重保护策略有效防止了因程序异常或电源波动导致的误写或数据损坏,增强了系统的安全性。芯片还具备上电复位(Power-on Reset)检测功能,确保在电源不稳定时不会执行错误操作。
低功耗设计也是该芯片的一大亮点。在待机模式下电流消耗极低(通常小于1μA),适合电池供电或对能耗敏感的应用。同时,其宽电压工作范围(2.5V~5.5V)使其能够兼容多种电源系统,无论是5V的传统TTL系统还是现代低功耗3.3V MCU系统均可无缝对接。整体封装尺寸小,便于高密度PCB布局,有助于缩小终端产品体积。
BR93LC56FV-WE2广泛应用于需要小容量、高可靠性非易失性存储的各种电子设备中。常见应用包括家用电器(如洗衣机、空调、微波炉)中的用户设置和运行参数存储;工业控制系统中用于保存校准数据、设备配置和故障日志;医疗设备中用于记录患者信息、设备使用历史和传感器校准值;汽车电子系统中用于存储车载模块的配置信息或驾驶习惯设置。此外,在智能仪表(如电表、水表、气表)中,该芯片可用于保存累计用量数据和通信配置,确保断电后数据不丢失。由于其支持频繁写入和长期数据保持,也常被用于POS终端、打印机、条码扫描器等商用设备中,用于保存交易记录、打印配置或序列号信息。在物联网(IoT)节点设备中,BR93LC56FV-WE2可用于缓存传感器采集的数据或网络配置参数,配合MCU实现低功耗运行。其串行接口易于集成,开发成本低,配合丰富的技术支持文档和示例代码,使工程师能够快速完成系统设计与调试,缩短产品上市周期。
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"BR93LC56FJ-WE2",
"BR93LC57FV-WE2",
"M93C56-WMN6TP",
"CAT93C56VI-GT3",
"FM93C56A-IM8",
"TC93C56A"
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