类型：EEPROM
　　接口类型：I2C
　　容量：64 Kbit (8K x 8)
　　工作电压：1.7V ~ 5.5V
　　通信速率：400 kHz（最大）
　　封装形式：SOT-23-6
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写保护功能：支持（通过WP引脚）
　　自定时写周期：典型5ms
　　待机电流：1 μA（典型）
　　读取电流：200 μA（典型）
　　写入耐久性：1,000,000次（典型）
　　数据保持时间：100年（典型）

BR93L76RFVT-WE2具备多项关键特性，使其在同类EEPROM产品中表现出色。首先，其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）允许其兼容多种电源系统，无论是3.3V还是5V逻辑电平系统均可稳定运行，同时也支持低至1.7V的单节电池供电应用，极大地扩展了其适用范围。这种宽压设计特别适合多电源域或电池供电的移动设备，如智能传感器、可穿戴设备和无线模块等。
　　其次，该芯片采用标准I2C接口，支持最高400kHz的通信速率，能够满足大多数中速数据存储需求。I2C协议具有引脚少、布线简单的优势，仅需SCL（时钟线）和SDA（数据线）即可实现双向通信，配合地址选择引脚可实现多片EEPROM在同一总线上的共存，提升了系统的扩展性。同时，器件内部集成上拉电阻选项和噪声滤波电路，增强了信号完整性，提高了抗干扰能力，尤其适用于电磁环境复杂的工业现场。
　　再者，BR93L76RFVT-WE2提供双重写保护机制：硬件写保护通过外部WP引脚控制，当该引脚接地时允许写操作，接高电平时禁止所有写入；软件写保护则通过特定命令序列锁定部分或全部存储区域。这一机制有效防止了系统异常重启或噪声干扰引起的误写操作，保障关键配置数据的安全。
　　此外，该器件具有出色的耐久性和数据保持能力，写入寿命可达100万次，数据可保存长达100年，远超一般应用需求，适用于需要频繁更新参数的场合，如校准数据记录、用户设置存储等。其CMOS工艺带来的低功耗表现也极为突出，待机电流仅1μA，显著延长了电池使用寿命。
　　最后，SOT-23-6小型化封装不仅节省PCB空间，而且热性能良好，便于自动化贴装，适合大规模生产。综合来看，BR93L76RFVT-WE2是一款高性能、高可靠性、易于集成的串行EEPROM解决方案。

BR93L76RFVT-WE2广泛应用于需要非易失性数据存储的各类电子系统中。在消费类电子产品中，常用于存储设备配置信息、用户偏好设置、序列号或固件版本等，例如智能手机配件、蓝牙耳机、智能手表和家用电器控制器等。由于其低功耗特性，非常适合由电池长期供电的物联网终端节点，如无线传感器网络（WSN）、智能家居节点和远程监控设备。
　　在工业控制领域，该芯片可用于PLC模块、传感器标定数据存储、仪表参数保存等场景，其工业级温度范围和高抗干扰能力确保在恶劣环境下仍能可靠运行。此外，在通信模块中，如Wi-Fi、Zigbee、LoRa或NB-IoT模组中，BR93L76RFVT-WE2可用于保存MAC地址、加密密钥、网络配置等关键信息，确保设备上电后能快速恢复工作状态。
　　汽车电子也是其重要应用方向之一，得益于AEC-Q100认证，该器件可用于车身控制模块（BCM）、车载传感器、HUD显示单元或车载诊断系统（OBD）中，用于存储车辆配置、故障码或里程信息等。其宽电压适应能力可应对汽车电源波动问题，而写保护功能则防止引擎启停过程中的误写风险。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和条码扫描器等精密电子设备中，该芯片也被用于保存校准系数、设备ID和使用日志，确保测量精度和可追溯性。总体而言，BR93L76RFVT-WE2凭借其高可靠性、小封装和低功耗优势，成为众多嵌入式系统中理想的串行存储解决方案。

M95640-RMN6P
　　CAT24C512WI-GT3
　　AT24C64D-XHM-T