型号：BR93H86RF-WE2
　　制造商：Rohm
　　存储容量：16 Kbit (2K x 8)
　　组织结构：2048 字节
　　接口类型：Microwire (3线串行)
　　工作电压范围：2.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSSOP-8
　　时钟频率：最大支持 2 MHz
　　写保护功能：支持硬件/软件写保护
　　写入耐久性：1,000,000 次擦写周期
　　数据保持时间：100 年
　　待机电流：1 μA 典型值
　　工作电流：3 mA 典型值（读取模式）
　　写入时间：典型值 5 ms（页写或字节写）
　　页面大小：16 字节

BR93H86RF-WE2具备多项先进特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，其采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其在待机模式下电流仅为1μA左右，非常适合电池供电或对能效要求较高的应用环境。其次，该芯片支持宽电压工作范围（2.5V~5.5V），可在不同电源条件下稳定运行，增强了系统的兼容性和适应能力。其Microwire串行接口仅需三条控制线（SK时钟、SI数据输入、SO数据输出及CS片选信号），大幅减少了微控制器的I/O占用，简化了电路设计并节省了PCB空间。该器件内部集成了噪声抑制滤波器和上电复位（POR）电路，有效防止因电源波动或电磁干扰导致的数据错误，提升了系统稳定性。
　　另一个重要特性是其强大的数据保护机制。除了可通过WP引脚实现硬件写保护外，还可以通过特定指令序列启用软件写保护，双重防护避免关键数据被误修改或擦除。此外，芯片支持局部和全局写保护选项，允许用户灵活配置存储区域的访问权限。在写入性能方面，BR93H86RF-WE2支持按页写入（每页16字节），相比单字节写入提高了批量数据存储效率，并内置自动定时写周期控制，无需外部延时管理，减轻主控处理器负担。所有写操作均在片内完成，期间禁止其他访问以保证完整性。
　　该器件具有出色的耐久性和数据保持能力，可承受高达100万次的擦写操作，确保长期频繁使用的可靠性；同时，存储数据可保留长达100年，满足工业级和汽车级应用对长期稳定性的严苛要求。Rohm对该产品进行了严格的可靠性测试，包括高温高湿存储、温度循环和静电放电（ESD）防护测试，使其能够在恶劣环境中稳定运行。TSSOP-8封装不仅尺寸紧凑，而且热性能良好，有助于提高整体系统可靠性。综合来看，BR93H86RF-WE2凭借其低功耗、高稳定性、强抗干扰能力和灵活的保护机制，成为众多中高端电子设备中理想的串行EEPROM选择。

BR93H86RF-WE2广泛应用于多个领域，适用于需要安全、可靠且持久存储的小容量数据记录场景。在工业自动化控制系统中，常用于保存设备配置参数、传感器校准数据、运行日志以及PLC中的用户设定值，其宽温特性和高抗干扰能力确保在复杂电磁环境下依然稳定工作。在消费类电子产品中，如智能家电、数码相机、音响设备和机顶盒等，该芯片可用于存储用户偏好设置、音视频配置信息及设备序列号，提升用户体验的一致性与个性化水平。
　　在汽车电子系统中，BR93H86RF-WE2可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘、车载娱乐系统和空调控制器中，用于存储里程信息、座椅位置记忆、后视镜调节设置等非关键但需长期保留的数据。其-40°C至+85°C的工作温度范围符合车规级应用的基本要求，能够在发动机舱周边或极端气候条件下正常运行。
　　通信与网络设备也是其重要应用场景之一，例如路由器、交换机、光模块和基站单元中，常利用该芯片存储MAC地址、固件版本信息、端口配置参数等，保障设备在断电重启后仍能恢复原有设置。此外，在医疗仪器、测试测量设备和智能仪表中，BR93H86RF-WE2可用于保存校准系数、使用记录和设备状态信息，满足对数据完整性和长期稳定性的需求。
　　由于其支持Microwire接口，特别适合与传统微控制器或不具备SPI/I2C专用模块的MCU配合使用，扩展系统的存储能力而无需增加复杂的外围电路。因此，无论是小型嵌入式系统还是大型工业平台，BR93H86RF-WE2都能提供高效、稳定的非易失性存储支持，是工程师在设计中值得信赖的选择。

[
　　 "BR93H86F-WE2",
　　 "M93C86-RMN6TP",
　　 "CAT93C86VI-GT3",
　　 "MICROCHIP 23LCV512-I/P",
　　 "ST M93C46-WMN1TP"
　　]