型号：BR93H46RFVT-2CE2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　产品类型：串行EEPROM
　　存储容量：1 Kbit (128 x 8)
　　接口类型：Microwire (3线串行接口)
　　工作电压范围：1.7 V 至 5.5 V
　　工作温度范围：-40 °C 至 +85 °C
　　封装类型：SOT-23-5
　　写保护功能：有
　　写入耐久性：1,000,000 次
　　数据保持时间：40 年
　　时钟频率：最大 2 MHz
　　供电电流（读模式）：约 1 mA
　　待机电流：小于 1 μA
　　是否符合RoHS：是

BR93H46RFVT-2CE2采用CMOS工艺设计，具备出色的低功耗性能，尤其适用于电池供电或对能耗敏感的应用场合。其宽泛的工作电压范围（1.7V~5.5V）使得该器件可以兼容多种电源系统，包括使用单节锂离子电池、碱性电池或标准5V逻辑供电的设备，从而提升了设计灵活性。在待机状态下，芯片的静态电流低于1μA，极大延长了系统的续航时间；而在读取操作时，典型工作电流约为1mA，兼顾了性能与能效之间的平衡。这种低功耗特性使其广泛应用于便携式医疗设备、无线传感器节点、智能标签以及物联网终端等长时间运行且依赖电池供电的系统中。
　　该芯片支持Microwire串行通信协议，这是一种简化版的同步串行接口，仅需三条信号线（SK、DI、DO）即可完成数据传输，减少了PCB布线复杂度并节省了主控MCU的I/O资源。通信时钟最高可达2MHz，支持快速的数据读写操作，满足大多数中低速存储需求。内部集成了写使能锁存器（WEL），所有写操作前必须先执行“写使能”指令，防止意外写入。同时，芯片还提供硬件写保护功能，通过WP引脚可物理锁定存储区域，避免在上电/掉电过程中因电压波动导致的数据损坏。这一双重保护机制显著提高了数据完整性与系统可靠性。
　　BR93H46RFVT-2CE2具有优异的可靠性和耐久性，支持高达100万次的擦写寿命，远超一般应用场景的需求。其数据保存时间长达40年，在高温高湿环境下仍能保持稳定的存储性能，适用于严苛工业环境下的长期部署。此外，器件采用无铅、绿色封装工艺，符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q100等车规级可靠性认证的部分测试项目，具备一定的汽车电子适用能力。SOT-23-5的小型化封装不仅节省空间，也便于自动化贴片生产，有利于提高制造效率和降低成本。

BR93H46RFVT-2CE2常用于需要小容量非易失性存储的嵌入式系统中，典型应用场景包括各类传感器模块中的校准参数存储，例如温湿度传感器、压力传感器和加速度计等，用于保存出厂校准系数或设备配置信息，确保每次启动时都能恢复准确的工作状态。在消费类电子产品中，该芯片可用于存储用户设置、序列号、运行日志或设备配对信息，如蓝牙耳机、智能手环、遥控器和家用电器控制板等。由于其低功耗特性，也广泛应用于便携式医疗设备，如血糖仪、体温计和心率监测仪，用以记录患者数据或设备使用记录。
　　在工业控制系统中，BR93H46RFVT-2CE2可用于PLC扩展模块、远程I/O单元或智能仪表中，存储设备地址、通信参数或故障代码，提升系统的可维护性与配置灵活性。在汽车电子领域，尽管该型号未明确标注为完全车规级，但其宽温特性和高可靠性使其可用于部分车载辅助系统，如车载传感器、座椅记忆模块或空调控制面板中，用于保存个性化设置或运行参数。此外，在智能卡读写器、POS终端、条码扫描器等商用设备中，该芯片可用于存储安全密钥、设备标识或交易缓存数据，保障系统安全与连续运行。其紧凑的SOT-23-5封装也使其成为模块化设计和高密度PCB布局的理想选择。

BR93H46FJ-7CE2
　　BR93H46FVM-2CE2
　　CAT93C46VI-T1
　　Microchip 23LC1024
　　ST M93C46-WMN6TP