时间：2025/12/25 13:29:39
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BR93G86FVT-3AGE2是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的串行EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）芯片。该器件采用工业标准的I2C总线接口协议，支持低电压操作，适用于需要非易失性数据存储的各种嵌入式系统和电子设备。该芯片封装形式为SOT-23-5，体积小巧，适合高密度PCB布局设计。其工作电压范围宽，能够在1.7V至5.5V的电源电压下稳定运行，具备良好的兼容性和灵活性，适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。BR93G86FVT-3AGE2内置写保护功能，防止因意外写入导致的数据损坏，并集成了地址锁存和片选逻辑，简化了系统设计。该器件还具有高可靠性，擦写寿命可达100万次以上，数据保存时间超过100年，适合长期数据记录与配置信息存储需求。此外，该芯片符合RoHS环保标准，不含铅，适用于绿色环保电子产品制造。
型号：BR93G86FVT-3AGE2
制造商：Rohm
产品类型：EEPROM
存储容量：8 Kbit (1024 x 8)
接口类型：I2C
工作电压：1.7V ~ 5.5V
通信速率：最高支持400 kHz（标准模式）
封装形式：SOT-23-5
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
写保护功能：有
自定时写周期：典型值5 ms
可靠性：擦写次数 ≥ 1,000,000 次；数据保持时间 ≥ 100 年
封装尺寸：约 2.9mm x 1.6mm x 1.1mm
引脚数：5
基板绑定：无铅处理，符合RoHS
BR93G86FVT-3AGE2的I2C接口支持标准的两线制通信协议，包括SDA（数据线）和SCL（时钟线），允许在共享总线上连接多个I2C设备。通过硬件地址引脚（如A0、A1等）可设置不同的设备地址，避免地址冲突，最多可支持多个相同型号的EEPROM在同一总线上独立工作。这种灵活性使其非常适合多存储模块或多通道系统的应用环境。芯片内部集成了上电复位电路（Power-on Reset, POR），确保在电源建立完成前不会执行任何操作，从而防止上电过程中的误动作。
该器件具备低功耗特性，在待机模式下的电流消耗极低，通常小于1 μA，显著延长了电池供电设备的工作寿命。写操作期间，芯片自动进行电荷泵升压以完成编程，无需外部高压编程信号，简化了电源设计。同时，其内置的写保护机制可通过WP引脚控制，当WP被拉低时，禁止所有写操作，有效保护关键数据区域免受非法访问或误修改。
BR93G86FVT-3AGE2采用CMOS工艺制造，抗干扰能力强，稳定性高。在电磁干扰较强的工业环境中仍能可靠运行。此外，其小尺寸SOT-23-5封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提高组装效率。器件经过严格的出厂测试，保证每颗芯片都符合规格要求，适用于汽车电子、消费类电子、医疗设备、智能仪表等多种领域。
BR93G86FVT-3AGE2广泛应用于需要小型化、低功耗和高可靠性的非易失性存储解决方案中。常见应用场景包括便携式电子设备（如智能手环、蓝牙耳机、移动电源）中的用户配置参数存储；工业控制系统中用于保存校准数据、设备序列号或运行日志；家用电器（如智能电饭煲、空气净化器、洗衣机）中用于记忆用户偏好设置和故障代码记录。
在通信模块中，该芯片可用于存储MAC地址、网络配置信息或固件版本号，确保设备重启后仍能恢复原有设置。医疗设备如血糖仪、体温计也常使用此类EEPROM来保存患者测量历史或设备校准信息。此外，在POS终端、智能卡读写器、传感器模块中，BR93G86FVT-3AGE2作为辅助存储单元，提供快速可靠的掉电数据保存能力。
由于其宽电压工作范围和良好的温度适应性，该芯片也可用于汽车电子系统，例如车载导航、行车记录仪或ECU控制单元中，用于存储车辆配置信息或驾驶习惯数据。总体而言，凡是需要在断电后保留少量重要数据的场合，BR93G86FVT-3AGE2都是一个理想的选择。
M93C86-RMN6TP
24LC1025-I/P
AT24C08D-PU-1.8
