BR7N60是一款由Brightking Technology生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET主要设计用于高效率、高频率的电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机控制电路。BR7N60具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于需要高性能功率管理的场合。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7A(在25℃)
导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω(最大值)
功率耗散(Pd):47W
工作温度范围:-55℃至150℃
BR7N60的主要特性包括其低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高电源转换效率。
该器件的高耐压能力(600V)使其能够适用于高压电源系统,具备良好的电压稳定性。
它还具备较高的电流承载能力,能够在高负载条件下稳定工作。
此外,BR7N60采用TO-220或类似封装形式,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
器件的栅极驱动电压范围较宽,可在多种驱动条件下正常工作,提高了设计的灵活性。
BR7N60广泛应用于各类电源管理设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
在LED照明驱动电路中,BR7N60可用于高效率的恒流控制方案。
此外,该MOSFET也可用于工业自动化控制设备中的功率开关应用,如继电器替代、电磁阀控制等。
由于其高可靠性和良好的热稳定性,BR7N60也常用于家电产品中的电源管理模块,如变频空调、洗衣机等。
FQP7N60C, STP7NK60Z, IRF7N60B, 7N60