BR7N60 时间：2025/8/13 22:05:26 阅读：30

BR7N60是一款由Brightking Technology生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET主要设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制电路。BR7N60具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于需要高性能功率管理的场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：47W
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

BR7N60的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。
　　该器件的高耐压能力（600V）使其能够适用于高压电源系统，具备良好的电压稳定性。
　　它还具备较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。
　　此外，BR7N60采用TO-220或类似封装形式，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，可在多种驱动条件下正常工作，提高了设计的灵活性。

应用

BR7N60广泛应用于各类电源管理设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
　　在LED照明驱动电路中，BR7N60可用于高效率的恒流控制方案。
　　此外，该MOSFET也可用于工业自动化控制设备中的功率开关应用，如继电器替代、电磁阀控制等。
　　由于其高可靠性和良好的热稳定性，BR7N60也常用于家电产品中的电源管理模块，如变频空调、洗衣机等。