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BR5001W 发布时间 时间:2025/5/28 18:01:45 查看 阅读:11

BR5001W是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  BR5001W属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:2.9mΩ
  栅极电荷:39nC
  输入电容:1750pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

BR5001W具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
  2. 高击穿电压设计,确保在高压环境下的稳定性。
  3. 快速开关能力,有助于降低开关损耗。
  4. 优化的热性能,能够承受高负载条件。
  5. 提供卓越的可靠性和耐用性,适合各种严苛的工作环境。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

BR5001W主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的功率控制。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. DC-DC转换器和电池管理系统(BMS)中的功率转换组件。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5500
  AOT540

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