型号：BR2N60
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：2A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：8A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值5.5Ω（@VGS=10V）
　　最大功耗（PD）：50W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

BR2N60具备出色的电气特性和热稳定性，其核心优势在于高耐压能力与合理的导通损耗之间的良好折衷。该器件的600V漏源击穿电压使其能够胜任大多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在AC-DC转换器中作为主开关管使用时表现出色。其阈值电压范围适中，在2.0V至4.0V之间，确保了在常见驱动电平下可靠开启，同时避免因过低阈值导致误触发的问题。导通电阻典型值为5.5Ω，在同等级别产品中处于合理水平，虽不属超低阻器件，但在2A额定电流下仍可保持较低的导通损耗，有利于提高电源效率。
　　该MOSFET采用坚固的平面工艺结构，提升了器件的一致性和长期可靠性。其封装为标准TO-220形式，便于安装散热片以增强热管理能力，从而支持持续大电流运行。器件内部寄生二极管具有一定的反向恢复能力，可在某些拓扑中辅助续流功能。此外，BR2N60具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定程度的自我保护，减少因电压尖峰导致的损坏风险。
　　在高频开关应用中，BR2N60展现出良好的开关速度，输入电容和输出电容相对较小，降低了驱动电路的负担，并有助于减少开关过程中的能量损耗。尽管其并非专为超高频设计，但在数十kHz到百kHz级别的开关频率下仍能保持高效运行。温度对参数的影响控制得当，跨温区工作时性能变化平稳，适合在宽温环境中部署。综合来看，BR2N60是一款性能稳定、成本可控、适用面广的中功率高压MOSFET，适用于对可靠性和性价比有较高要求的应用场景。

BR2N60主要应用于各类中低功率开关电源系统中，典型用途包括但不限于：通用交流适配器、手机充电器、LED驱动电源、小型家电电源模块、PC电源待机电路以及工业控制设备中的DC-DC转换器。在反激式（Flyback）拓扑结构中，该器件常作为主开关管连接在变压器初级侧，负责将输入直流电压周期性地切断与导通，实现能量传递与电压变换。由于其600V的耐压能力足以覆盖整流后市电峰值电压（约310V），因此非常适合用于单端反激式AC-DC电源设计。
　　此外，BR2N60也可用于正激式（Forward）转换器、电流模式控制电源及PWM调光电路中，尤其适用于输出功率在15W至60W范围内的设备。在电机驱动领域，该器件可用于小功率直流电机或步进电机的H桥或单臂驱动电路中，作为开关元件控制电流流向。由于其具备一定的过载承受能力，因此在短暂过流或启动冲击下仍能保持稳定工作。
　　在照明电子领域，BR2N60常见于LED恒流驱动方案中，配合专用控制IC实现精确的电流调节与调光功能。其稳定的开关特性和可预测的导通行为有助于提升光源亮度一致性与使用寿命。同时，该器件也被广泛用于UPS不间断电源、电子镇流器、智能电表电源模块等工业与民用电子产品中，承担功率切换与稳压任务。得益于其标准化封装和良好兼容性，BR2N60易于替换和维修，进一步增强了其在终端产品中的实用性。

KIA2N60, FQP2N60, STP2N60, 2N60, IRF2N60