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BR25S640FVT-WE2 发布时间 时间:2025/12/25 12:20:08 查看 阅读:14

BR25S640FVT-WE2是一款由ROHM(罗姆)公司生产的串行EEPROM存储器芯片,采用SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议。该器件具有64 Kbit(8 K × 8位)的存储容量,属于高可靠性、低功耗的非易失性存储器产品系列,广泛应用于需要数据持久化保存的嵌入式系统中。BR25S640FVT-WE2采用紧凑型表面贴装封装(SOT-23-6),适合对空间要求严苛的应用场景。该芯片工作电压范围宽,支持1.7 V至5.5 V的供电电压,能够在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定运行,具备出色的抗噪声性能和长期数据保持能力(典型值可达100年)。此外,该器件内置写保护功能,可通过WP引脚实现硬件写保护,防止因意外操作导致的数据损坏。芯片内部集成了写入周期定时器,自动管理写入过程中的擦除与编程时序,用户无需额外控制。通过SPI接口,最高支持10 MHz的时钟频率,可实现快速的数据读写操作,适用于配置信息存储、校准参数记录、序列号保存等应用需求。

参数

型号:BR25S640FVT-WE2
  制造商:ROHM
  存储容量:64 Kbit (8K × 8)
  接口类型:SPI
  工作电压:1.7 V 至 5.5 V
  最大时钟频率:10 MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOT-23-6
  写保护功能:支持(WP引脚)
  写入耐久性:10^6 次/字节
  数据保持时间:100 年(典型值)
  组织结构:按页写入(最大32字节/页)
  写入模式:自定时写入周期
  输出类型:CMOS 兼容
  电源电流(读取):1 mA(典型值)
  待机电流:1 μA(典型值)

特性

BR25S640FVT-WE2具备卓越的电气特性和可靠性设计,能够适应多种复杂的工作环境。其宽电压工作范围(1.7 V至5.5 V)使其不仅兼容3.3 V系统,也能在传统的5 V逻辑系统中直接使用,无需电平转换电路,简化了系统设计并降低了整体成本。
  该芯片采用标准SPI接口,支持Mode 0和Mode 3两种时钟极性和相位配置,增强了与其他主控设备的兼容性。高速10 MHz的时钟速率确保了高效的数据传输效率,尤其适用于频繁读写操作的应用场合。器件内部集成了自动写入定时器,写入操作完成后会自动进入待机状态,并通过拉高SO引脚或等待规定时间来判断写入是否完成,避免了复杂的软件轮询机制。
  在数据安全性方面,BR25S640FVT-WE2提供了多重保护机制。除了通过WP引脚实现硬件写保护外,还支持写使能锁存(WEL)和状态寄存器保护位(BP0、BP1),可以灵活地设置部分或全部存储区域为只读状态,有效防止误写或恶意篡改。此外,芯片具有高抗干扰能力,在电源波动或电磁干扰较强的环境中仍能保持稳定工作。
  该器件的高耐久性(支持高达100万次的写入/擦除循环)和长达100年的数据保持能力,使其非常适合用于工业控制、医疗设备、汽车电子等对长期可靠性和数据完整性有严格要求的领域。同时,其低功耗特性使得它在电池供电或便携式设备中也表现出色,显著延长了设备的使用寿命。SOT-23-6的小型化封装进一步提升了其在高密度PCB布局中的适用性。

应用

BR25S640FVT-WE2广泛应用于各类需要非易失性数据存储的电子系统中。常见用途包括消费类电子产品中的设备配置参数存储,例如电视、音响、智能家居控制器等,用于保存用户设定、音视频校准数据或网络配置信息。
  在工业自动化领域,该芯片可用于PLC模块、传感器节点、测量仪器中,记录校准系数、设备编号、运行日志等关键信息。由于其工业级温度范围和高可靠性,特别适合部署在恶劣环境下的控制系统中。
  在汽车电子系统中,BR25S640FVT-WE2可用于车身控制模块、车载仪表、ECU单元中,存储车辆识别码、故障码、个性化设置等内容,满足车规级应用的基本要求。
  此外,医疗设备如便携式监护仪、血糖仪等也常采用此类EEPROM来保存患者数据、设备校准信息和使用记录,确保数据的安全与可追溯性。
  在通信设备中,该芯片可用于光模块、路由器、交换机等设备中存储模块参数、MAC地址、生产信息等,支持热插拔和即插即用功能。其SPI接口易于与微控制器、DSP或FPGA连接,开发门槛低,适配性强。

替代型号

M95640-DRMN6TP
  CAT25640VI-GT3
  AT25DN641-CNN-SH-T

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BR25S640FVT-WE2参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器EEPROMs - 串行
  • 存储器类型EEPROM
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度20MHz
  • 接口SPI 3 线串行
  • 电源电压1.7 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP-B
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BR25S640FVT-WE2TR