类型：串行EEPROM
　　存储容量：128 Kbit (16 K × 8)
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.5V ~ 5.5V
　　时钟频率：最高40 MHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-pin SOP / TSSOP
　　写保护功能：硬件WP引脚 + 软件保护
　　写入耐久性：1,000,000次
　　数据保持时间：100年
　　组织结构：16,384 × 8-bit
　　工作模式：SPI Mode 0, Mode 3

BR25S128F-WE2具备多项高性能特性，使其成为可靠的数据存储解决方案。首先，该芯片支持高速SPI接口，最大时钟频率可达40 MHz，显著提升了数据传输速率，适用于对实时性要求较高的应用场景。其通信协议兼容标准SPI模式0（CPOL=0, CPHA=0）和模式3（CPOL=1, CPHA=1），增强了与不同主控制器的兼容性，简化了系统设计。芯片内部集成了一个8字节的页面缓冲区，支持页写入操作，用户可以在一次写命令中向同一页面内连续写入最多8个字节数据，从而减少协议开销并提升写入效率。同时，自动定时的片内擦除和编程电路确保每个写操作都能正确执行，无需外部干预。
　　其次，BR25S128F-WE2提供了多重写保护机制以保障数据完整性。除了通过硬件写保护引脚（WP）控制对状态寄存器和存储阵列的写访问外，还支持通过软件设置状态寄存器中的写保护位，实现按扇区或全芯片级别的锁定。这种双重保护策略有效防止了由于电源波动或程序异常引起的误写或误擦除操作。此外，器件内置上电复位（POR）电路，确保在电源上升过程中芯片处于已知的安全状态，避免非法指令执行。
　　再者，该器件采用低功耗CMOS工艺，在待机模式下的电流消耗极低（通常仅为1 μA以下），非常适合电池供电或节能型系统。其宽工作电压范围（2.5V至5.5V）使其能够兼容3.3V和5V逻辑系统，增强了系统的灵活性。所有引脚均具有静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在实际使用中的鲁棒性。最后，BR25S128F-WE2经过严格的可靠性测试，具备高达100年的数据保持能力和100万次的写入寿命，适用于需要长期稳定运行的关键应用领域。

BR25S128F-WE2广泛应用于各类需要非易失性数据存储的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于存储设备配置参数、用户偏好设置或运行日志，例如在智能家电、数码相机和音频播放器中记录音量设置、语言选择或最近播放列表。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC控制器、传感器模块和远程I/O单元中保存校准系数、设备序列号或故障历史记录，确保即使断电后关键信息也不会丢失。通信设备如路由器、交换机和调制解调器也利用其存储网络配置、MAC地址或固件更新标记。汽车电子系统中，该器件可应用于车身控制模块、仪表盘或车载信息娱乐系统，用于存储个性化设置或里程信息（需符合相应车规等级）。
　　此外，在医疗设备中，BR25S128F-WE2可用于存储患者数据、设备校准值或使用次数统计，满足高可靠性和长寿命的要求。测试与测量仪器依赖其保存测量基准、系统配置和校正数据，确保测量精度的一致性。在物联网（IoT）节点和无线传感器网络中，该EEPROM可用于缓存采集数据或存储设备身份信息，配合低功耗MCU实现节能运行。由于其小型封装和宽温工作能力，也适用于空间紧凑且环境严苛的应用场景，如便携式设备、户外监控终端或工业现场设备。总体而言，任何需要小容量、高可靠性、非易失性存储的嵌入式系统均可考虑采用BR25S128F-WE2作为理想的存储解决方案。

[
　　 "BR25S128F-WFJCE2",
　　 "BR25H128F-WE2",
　　 "M95128-DRDW3TP/K",
　　 "SST25VF016B-104/I-S2",
　　 "W25X128.L"
　　]