时间：2025/11/8 0:39:56
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BR25L040FVM-WTR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗、高可靠性以及宽工作电压范围的特点，适用于多种需要非易失性数据存储的应用场景。其存储容量为4 Kbit（即512字节），组织方式为512 × 8位，通过I2C总线接口进行通信，支持标准模式（100 kHz）、快速模式（400 kHz）和高速模式（3.4 MHz），具备良好的兼容性和传输效率。该芯片封装形式为SOP-8（小外形封装），型号中的“WTR”表示卷带包装，适合自动化贴片生产。BR25L040FVM-WTR集成了写保护功能，可通过硬件引脚（WP）控制，防止意外写入或擦除操作，提升系统数据安全性。此外，该器件内置了页面写入缓冲区和自定时写周期，支持页写入（Page Write）和当前地址读取（Current Address Read）等多种操作模式，提升了使用的灵活性。在耐久性方面，该EEPROM可实现高达100万次的写入/擦除周期，并能保证数据保存时间长达100年，满足工业级和消费类电子产品的长期稳定运行需求。
类型：EEPROM
存储容量：4 Kbit
组织结构：512 x 8
接口类型：I2C, 2-wire
工作电压：1.7V ~ 5.5V
时钟频率：最高支持3.4MHz（高速模式）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：SOP-8
写保护功能：支持硬件WP引脚
写入耐久性：1,000,000次
数据保持时间：100年
待机电流：1 μA（典型值）
工作电流：1 mA（读取时，典型值）
BR25L040FVM-WTR的高性能特性使其在各类嵌入式系统中表现出色。首先，其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）使得该芯片能够在从低电压电池供电设备到标准5V系统的广泛电源条件下稳定运行，增强了应用适应性。这对于便携式设备、智能仪表和工业传感器等对电源波动敏感的应用尤为重要。其次，该芯片支持I2C高速模式（最高3.4MHz），显著提升了数据传输速率，在需要频繁读写配置信息或日志数据的场合下，能够有效降低通信延迟，提高系统响应速度。同时，它完全兼容标准和快速I2C模式，确保与现有控制器的良好互操作性。
另一个关键特性是其内置的硬件写保护功能。通过独立的WP（Write Protect）引脚，用户可以在外部电平控制下锁定整个存储阵列，防止在上电、掉电或系统异常期间发生误写操作，从而保障关键数据如校准参数、设备序列号或安全密钥的完整性。这一机制无需软件干预即可实现物理级保护，提升了系统的可靠性和抗干扰能力。
在可靠性方面，BR25L040FVM-WTR具备出色的耐久性和数据保持能力。支持高达100万次的写入/擦除循环，远超许多同类产品，适用于需要频繁更新数据的场景，例如实时日志记录或状态追踪。同时，其数据可保留长达100年，确保即使在长期断电或恶劣环境下，存储的信息也不会丢失。此外，该器件采用CMOS工艺制造，具有极低的功耗表现，待机电流仅为1μA左右，非常适合电池供电或节能型设计。
该芯片还具备良好的环境适应性，规定的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级应用标准，可在高温或低温环境中稳定工作。SOP-8封装不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具有良好的散热性能和焊接可靠性，适合回流焊工艺，广泛应用于自动化生产线。综上所述，BR25L040FVM-WTR凭借其宽电压、高速通信、高耐久性、强数据保护和工业级稳定性，成为众多中低端密度非易失性存储需求的理想选择。
BR25L040FVM-WTR广泛应用于需要小型化、低功耗和高可靠性的电子系统中。常见用途包括消费类电子产品中的设置参数存储，例如电视、音响、空调遥控器中的用户偏好配置保存；在工业控制领域，用于PLC模块、传感器节点中存储校准数据、设备ID或运行日志；在医疗设备中，记录仪器的使用历史或患者相关配置信息；在汽车电子中，应用于车载传感器、ECU辅助存储或车内娱乐系统的个性化设置记忆功能。此外，该芯片也常用于通信模块、智能电表、POS机终端以及物联网（IoT）设备中，作为微控制器外扩的非易失性存储单元，用于保存网络配置、固件版本或安全认证信息。由于其支持高速I2C通信和宽电压工作范围，特别适合那些需要快速启动、频繁读写的嵌入式应用场景。
M95040-RMN6P/M95040-RMN3P
AT24C04D-XHM-T
CAT24C04VI-GT3
FM24C04A-G
