型号：BR25L040FVJ-WE2
　　制造商：Rohm
　　类型：串行EEPROM
　　存储容量：4Kbit (512 × 8)
　　接口类型：I2C 兼容接口
　　工作电压：1.7V ~ 5.5V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　时钟频率：最高支持1MHz（高速模式）
　　写入周期时间：最大5ms（典型值）
　　封装类型：SOP-8 (JEDEC MS-012AA, SOP-J)
　　引脚数：8
　　写保护功能：有（通过WP引脚控制）
　　自定时写入：支持
　　数据保持时间：100年（典型值）
　　擦写次数：最多1百万次
　　I2C地址模式：硬件地址引脚A0、A1、A2可配置
　　待机电流：最大1μA（典型值）
　　工作电流：最大3mA（读取时）

BR25L040FVJ-WE2采用先进的CMOS EEPROM技术，确保了高性能与低功耗的完美结合。其核心特性之一是支持I2C高速模式（High-Speed Mode），最高可达1MHz的通信速率，显著提升了数据传输效率，特别适用于对实时性要求较高的应用场景。相比传统仅支持标准或快速模式的EEPROM，这一特性使其在多任务处理或频繁读写的系统中表现出更强的响应能力。
　　该芯片具备三根硬件地址引脚（A0、A1、A2），允许在同一I2C总线上最多连接8个相同的EEPROM设备，极大地增强了系统的扩展性。每个设备可通过外部电阻设定不同的地址，避免地址冲突，从而实现灵活的多设备并行管理。这种设计非常适合需要多个独立存储区域的复杂系统，如传感器网络或多通道数据采集装置。
　　为了提高数据安全性，BR25L040FVJ-WE2配备了专用的写保护引脚（WP）。当该引脚接地时，允许正常写入；而拉高至VDD时，则锁定整个存储阵列，禁止任何写操作。此功能可在关键运行阶段防止意外修改配置参数或历史记录，保障系统稳定性与数据完整性。
　　器件支持页写入（Page Write）和随机读取（Random Read）操作，每页可写入最多16字节数据，减少协议开销并提升批量写入效率。同时，其内置自动擦除/写入定时电路，无需外部干预即可完成完整的编程流程，简化了主机MCU的控制逻辑。此外，该芯片在断电后仍能可靠保存数据长达100年，并可承受高达100万次的擦写循环，远超一般应用需求，适用于长期服役且频繁更新数据的工业级产品。
　　在电源适应性方面，其宽电压工作范围（1.7V~5.5V）使其既可用于低功耗电池供电设备，也可兼容5V系统，增强了跨平台兼容性。极低的待机电流（最大1μA）进一步延长了便携设备的续航时间。整体而言，该器件在性能、可靠性、安全性和能效之间实现了良好平衡，是一款高度集成且易于使用的串行EEPROM解决方案。

BR25L040FVJ-WE2因其高可靠性、小封装和低功耗特性，被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于智能手机、平板电脑、智能手表等设备中存储用户设置、校准参数或设备序列号。其紧凑的SOP-8封装非常适合PCB空间有限的便携式产品设计。
　　在工业自动化与控制系统中，该芯片可用于PLC模块、传感器节点、温控仪表等设备中，用于保存配置信息、运行日志或故障代码。由于其支持-40°C至+85°C的工作温度范围，能够在恶劣工业环境中稳定运行，具备良好的环境适应性。
　　通信设备如路由器、交换机、光模块等也常采用该器件来存储MAC地址、固件版本或通信参数。其I2C接口简单易接，配合高速模式可满足快速启动和动态配置的需求。
　　在汽车电子中，虽然未达到车规级标准，但在部分车载附件如行车记录仪、车载导航配件、OBD-II诊断工具中仍有应用，用于保存设备配置或使用记录。
　　此外，在医疗设备、测试仪器、智能家居控制器等领域，BR25L040FVJ-WE2也被用于存储校准数据、用户偏好设置或设备状态信息。其写保护功能可防止误操作导致的关键数据丢失，提升系统安全性。总体来看，该芯片适用于所有需要小容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式应用场景。

M95M04-DRMN6TP/K
　　AT24C04D-SSHM-T
　　CAT24C04VI-GT3
　　FM24C04A-GTR