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BR25G512FJ-3GE2 发布时间 时间:2025/11/7 19:33:19 查看 阅读:7

BR25G512FJ-3GE2是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的串行外置EEPROM存储器芯片。该器件采用SPI(Serial Peripheral Interface)通信接口,具备512Kbit(即64K x 8位)的存储容量,适用于需要非易失性数据存储的各种电子系统中。该芯片设计用于工业级工作温度范围,具有高可靠性与耐久性,广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、网络通信模块以及汽车电子等领域。BR25G512FJ-3GE2采用紧凑型表面贴装封装(通常为SOP-8或DFN-8),有助于节省PCB空间,适合对尺寸敏感的应用场景。其内部结构基于先进的CMOS技术制造,不仅提高了抗噪声能力,还显著降低了功耗,在待机模式下电流消耗极低,支持节能运行。该器件支持标准SPI模式0和模式3时序,兼容性强,便于与多种微控制器进行连接和通信。此外,它内置写保护功能,可通过硬件引脚(如WP引脚)或软件命令防止意外写入或擦除操作,从而确保关键数据的安全性。片上集成了页编程缓冲区机制,允许每次最多写入32字节的数据,提升写入效率的同时也延长了器件寿命。在电气特性方面,该芯片支持宽电压供电范围(通常为1.7V至5.5V),使其能够适应不同系统的电源环境,无论是低电压便携设备还是传统5V系统均可稳定工作。整体而言,BR25G512FJ-3GE2是一款高性能、高灵活性且易于集成的串行EEPROM解决方案,满足现代电子设计对于小型化、低功耗与高可靠性的综合需求。

参数

型号:BR25G512FJ-3GE2
  制造商:Rohm
  存储容量:512 Kbit (64 K × 8)
  接口类型:SPI
  工作电压:1.7 V 至 5.5 V
  时钟频率:最高支持 33 MHz
  工作温度范围:-40 °C 至 +85 °C
  封装形式:SOP-8
  页面大小:32 字节
  写入耐久性:1,000,000 次/字节
  数据保持时间:100 年
  写保护功能:支持硬件和软件写保护
  休眠电流:典型值 1 μA
  工作电流:典型值 3 mA @ 5V, 1MHz

特性

BR25G512FJ-3GE2具备多项先进特性,使其在同类EEPROM产品中表现出色。首先,其宽电压工作范围(1.7V至5.5V)使得该芯片能够在多种供电环境下稳定运行,无论是使用锂电池供电的便携式设备,还是传统的5V工业控制系统,都可以无缝接入而无需额外电平转换电路。这种宽压设计极大提升了系统的兼容性和设计灵活性。
  其次,该器件支持高达33MHz的SPI时钟频率,远高于传统EEPROM通常支持的10MHz以下速率,这意味着数据读写速度更快,特别适用于需要频繁存取配置参数或日志信息的高速应用场合,例如实时监控系统或高速传感器数据缓存。
  再者,芯片内置硬件写保护(通过WP引脚)和软件写保护机制,用户可灵活选择保护方式,有效防止因程序错误或外部干扰导致的关键数据被误修改或擦除,提高系统安全性与稳定性。此外,其支持标准SPI模式0(CPOL=0, CPHA=0)和模式3(CPOL=1, CPHA=1),兼容大多数主流MCU的SPI控制器配置,简化了软硬件开发流程。
  该器件采用CMOS工艺制造,具有极低的功耗表现:在主动写入时的工作电流仅为几毫安级别,而在待机或休眠状态下电流可低至1μA左右,非常适合电池供电或对能效要求严苛的应用场景。其写入耐久性高达100万次每字节,数据保存时间长达100年,确保长期使用的可靠性。
  另外,芯片集成了32字节的页写入缓冲区,支持批量数据写入,减少多次通信开销,提升整体写入效率。同时,内部设有自动定时控制逻辑,完成写操作后会自动进入就绪状态,并可通过轮询MISO信号判断是否忙,避免无效等待。所有这些特性共同构成了一个高效、安全、可靠的非易失性存储解决方案。

应用

BR25G512FJ-3GE2广泛应用于多个领域,尤其适用于需要可靠非易失性存储的小型化电子系统。在消费类电子产品中,常用于智能家电(如洗衣机、空调)中的用户设置存储、运行日志记录等;在工业自动化领域,可用于PLC模块、传感器节点中保存校准参数、设备ID或故障历史信息;在网络通信设备中,该芯片可用于存储MAC地址、网络配置参数或固件更新标记,确保设备断电后信息不丢失。
  在汽车电子系统中,尽管并非车规级AEC-Q100认证型号,但在部分车载附件如行车记录仪、车载多媒体终端或OBD-II诊断模块中仍有应用,用于保存用户偏好设置或运行状态数据。医疗设备中,可用于便携式监测仪器存储患者配置或设备校准数据,确保每次使用时都能恢复到正确的工作状态。
  此外,该芯片也常见于各种嵌入式开发板和物联网(IoT)节点中,作为外部扩展存储器,补充主控MCU片内Flash或EEPROM容量不足的问题,尤其适合需要频繁更新配置但又不想占用程序存储空间的设计。由于其小封装和低功耗特性,也非常适合用于穿戴式设备或无线传感网络节点中,实现长时间稳定运行。总体来看,凡是需要安全、持久、快速访问非易失性数据的场景,BR25G512FJ-3GE2都是一个理想的选择。

替代型号

M95512DRDF3TP/K
  CAT25512VE1TG
  AT25DN512A-MSH-T

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BR25G512FJ-3GE2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥8.51000剪切带(CT)2,500 : ¥6.21310卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式EEPROM
  • 技术EEPROM
  • 存储容量512Kb
  • 存储器组织64K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率10 MHz
  • 写周期时间 - 字,页5ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP-J