型号：BR25A1MF-3MGE2
　　制造商：Rohm
　　类型：串行EEPROM
　　存储容量：1Mbit (128K × 8)
　　接口类型：SPI (3线制)
　　时钟频率：最大支持3MHz
　　工作电压：2.5V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOP-8
　　写保护功能：支持硬件/软件写保护
　　写入耐久性：10^6次/字节
　　数据保持时间：100年
　　待机电流：1μA（典型值）
　　工作电流：3mA（读取模式，典型值）
　　页面大小：32字节
　　写入周期时间：5ms（最大值）
　　是否有保持寄存器：否
　　是否支持块写保护：是
　　地址模式：3字节寻址

BR25A1MF-3MGE2具备出色的电气性能与稳定性，支持宽电压工作范围（2.5V至5.5V），使其能够在多种供电条件下可靠运行，尤其适用于电池供电或电压波动较大的应用场景。其SPI接口仅需四条信号线（CS#, SCK, SI, SO）即可完成通信，简化了系统布线并减少了MCU I/O资源占用。该芯片支持最高3MHz的时钟频率，在同类产品中表现出较快的数据传输速率，能够满足实时性要求较高的数据记录需求。内部采用页写入结构，每页32字节，支持连续写入同一页内的多个地址，提升写入效率；同时，芯片内置自动写入定时电路，在每次写操作后自动启动内部定时，无需外部控制器轮询状态，提高了系统的响应速度和整体效率。
　　该器件具有卓越的耐久性和数据保持能力，写入寿命可达100万次，数据可保存长达100年，确保关键信息在长期使用中不会丢失。为增强数据安全性，BR25A1MF-3MGE2提供多层级写保护机制：通过/SP引脚实现硬件写保护，当该引脚接地时可锁定整个存储阵列；同时支持软件指令控制部分或全部存储区域的写权限，允许灵活配置只读区域以保护重要参数。此外，该芯片符合工业级和汽车级标准，经过严格的温度循环、湿度测试和抗干扰验证，具备良好的EMI抗扰度和ESD防护能力（HBM模型下可达±4kV）。所有制造工艺均符合RoHS环保规范，不含铅和有害物质，适合绿色电子产品设计。其SOP-8封装不仅体积小巧，而且热阻低、散热性能良好，有助于维持芯片在高负载下的稳定运行。总体来看，这些特性使BR25A1MF-3MGE2成为高可靠性嵌入式存储系统的理想选择。

BR25A1MF-3MGE2广泛应用于各类需要非易失性数据存储的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、传感器模块和仪表设备中，用于保存校准系数、设备序列号、运行日志和故障记录等信息。由于其支持宽温工作范围和强抗干扰能力，非常适合部署于工厂车间、电力监控系统或户外环境中。在汽车电子方面，该芯片可用于车身控制模块（BCM）、车载仪表盘、空调控制系统以及ADAS辅助驾驶单元中，用于存储用户设置、里程数据、故障码或ECU标定参数，保障车辆在频繁启停和复杂电磁环境下仍能可靠读写数据。
　　在消费类电子产品中，如智能家电、数码相机、打印机和音频播放器等，BR25A1MF-3MGE2被用来保存用户偏好设置、设备配置信息或固件更新标志，提升用户体验的一致性和连贯性。医疗设备也常采用此类高可靠性EEPROM来存储病人治疗参数、设备校准数据或使用次数计数，确保符合安全与合规要求。此外，在通信设备如路由器、交换机和光模块中，该芯片可用于存储MAC地址、模块类型识别信息（IDOM）或温度补偿参数，支持热插拔和快速初始化。其小封装尺寸和低功耗特性也使其适用于便携式设备和物联网终端节点，例如无线传感器网络中的边缘计算单元或远程抄表系统。总之，凡是对数据持久性、稳定性和环境适应性有较高要求的应用场景，BR25A1MF-3MGE2都能提供可靠的存储解决方案。

BR25H1MF-3CE2
　　BR25G1MF-3CWE2
　　M95128-DRMN6P
　　AT25DN128A-SH-T