型号：BR24T08FVT-WE2
　　类型：串行EEPROM
　　容量：8Kbit (1024 x 8)
　　接口类型：I2C
　　工作电压：1.7V ~ 5.5V
　　时钟频率：最大400kHz (标准/快速模式)
　　封装形式：SOT-23-5
　　工作温度：-40°C ~ +105°C
　　写保护功能：支持硬件写保护 (WP引脚)
　　写入周期时间：最大5ms (典型值)
　　可靠性：擦写次数可达100万次，数据保持时间长达100年
　　总线电容：最大400pF
　　输入逻辑电平：兼容CMOS/TTL
　　器件地址：通过A0-A2引脚配置，支持最多8个设备共用同一总线

BR24T08FVT-WE2具备出色的电气性能和稳定性，其核心特性之一是宽电压工作范围，可在1.7V至5.5V之间正常运行，这使得它不仅适用于传统的5V系统，也能无缝集成到现代低功耗3.3V、2.5V甚至1.8V的微控制器系统中，极大增强了系统的兼容性和灵活性。这种宽压特性对于电池供电设备尤为重要，能够在电池电压逐渐下降的过程中持续工作，延长设备使用寿命。
　　该芯片采用I2C通信协议，仅需两条信号线（SDA和SCL）即可完成数据传输，显著减少了MCU引脚占用和PCB布线复杂度。支持标准模式（100kHz）和快速模式（400kHz），在保证通信可靠性的前提下提升了数据吞吐效率。内部集成施密特触发器的输入电路有效抑制了I2C总线上可能出现的噪声和振铃现象，提高了信号完整性，尤其适用于长距离走线或高噪声工业环境。
　　存储结构方面，BR24T08FVT-WE2提供1024字节的用户可编程空间，支持字节写入和页写入（每页最多16字节）。片上地址计数器支持自动递增，在连续读取操作中无需重新发送地址，简化了读取流程。写操作具有内置定时控制，完成一次写入后会发出应答信号，主机可通过轮询该信号判断写入是否完成，避免过早访问导致错误。
　　为了增强数据安全性，该器件配备了硬件写保护引脚（WP），当该引脚接地时允许写入操作；拉高至VCC时则禁止所有写入操作，保护存储内容不被篡改。此功能在关键参数存储或固件配置场景中非常实用。此外，芯片支持器件地址配置（通过A0-A2引脚），允许多达8个相同型号的EEPROM挂载在同一I2C总线上，实现扩展存储容量或分区管理。
　　在耐久性和数据保持方面，BR24T08FVT-WE2支持最高1,000,000次的擦写循环，数据可保存长达100年，远超一般应用需求，确保长期使用的可靠性。其SOT-23-5封装尺寸小、重量轻，适合便携式设备和高密度PCB布局。整体设计兼顾性能、可靠性与易用性，是一款成熟的工业级非易失性存储解决方案。

BR24T08FVT-WE2广泛应用于各类需要小容量非易失性存储的电子系统中。常见用途包括存储系统配置参数、校准数据、序列号、用户设置等信息。在工业自动化领域，可用于PLC模块、传感器节点中保存设备ID和标定系数。在消费类电子产品中，如智能家居设备、遥控器、可穿戴设备，用于保存用户偏好设置和运行日志。
　　在通信设备中，该芯片可用于存储MAC地址、网络配置信息，适用于Wi-Fi模块、蓝牙模组、Zigbee节点等嵌入式系统。医疗仪器中常利用其高可靠性特性来保存患者记录、设备校准数据或使用历史，满足长期稳定运行的需求。
　　汽车电子中的车载传感器、仪表盘模块、ECU辅助存储单元也可采用该芯片进行参数备份。由于其工作温度范围宽达-40°C至+105°C，能够适应恶劣的车载环境。此外，在POS机、条码扫描器、打印机等办公与商用设备中，用于存储设备配置、打印模板或交易缓存数据。
　　因其体积小、功耗低、接口简单，也常被用于物联网终端节点，配合MCU实现本地数据暂存。在电源管理单元中，可用于记录充放电次数、电压阈值等信息。总体而言，任何需要可靠、低成本、低引脚数的非易失性存储方案的场合，BR24T08FVT-WE2都是一个理想选择。

M95010-WMN6TP
　　CAT24C08WI-GT3
　　AT24C08D-XHM-T
　　FM24C08-G
　　CY24C08SC