型号：BR24T01FVT-WE2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　产品类型：EEPROM
　　存储容量：1Kbit (128 x 8)
　　接口类型：I2C, 2-Wire
　　工作电压范围：1.7V ~ 5.5V
　　时钟频率：最大400kHz (标准模式), 最高支持1MHz (快速模式+)
　　封装类型：SOT-23-5
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写周期时间：典型值5ms
　　写保护功能：硬件写保护（通过WP引脚）
　　待机电流：最大1μA（典型值0.1μA）
　　读取电流：最大300μA
　　I2C地址：可通过 ADDR 引脚配置，支持多个设备共用总线
　　可靠性：擦写寿命 ≥ 1,000,000 次，数据保持时间 ≥ 100 年

BR24T01FVT-WE2具备多项先进特性，确保其在复杂应用环境中稳定可靠运行。首先，它采用I2C总线接口，仅需两条信号线（SDA和SCL）即可完成数据通信，极大简化了系统布线并减少了主控MCU的GPIO占用。该芯片支持标准模式（最高400kHz）和快速模式+（最高1MHz），显著提升数据传输效率，满足实时性较高的应用场景需求。其低功耗设计尤为突出，在待机状态下电流消耗极低，典型值仅为0.1μA，非常适合电池供电或能量受限的便携式设备，如智能传感器、穿戴设备和无线模块。
　　其次，该器件具有出色的电压适应能力，工作电压范围覆盖1.7V至5.5V，能够兼容3.3V和5V逻辑系统，增强了系统设计的灵活性。无论是在低压微控制器系统还是传统工业控制系统中，都能实现无缝对接。内部集成了上电复位（Power-On Reset, POR）电路，确保每次上电时芯片处于确定状态，避免因电源波动导致的误操作或通信异常。
　　再者，BR24T01FVT-WE2提供硬件写保护功能，通过专用的WP（Write Protect）引脚可锁定存储区域，防止程序错误或外部干扰造成的关键数据被覆盖或删除，有效提升系统安全性。同时，支持片选地址配置（ADDR引脚），允许在同一I2C总线上挂载多个相同型号的EEPROM，最多可扩展至两个独立地址设备，便于构建分布式数据存储架构。
　　该芯片还具备卓越的耐久性和数据保持能力，标称擦写次数可达100万次以上，数据保存时间超过100年，远高于一般商业级存储器标准，适用于长期运行且频繁更新数据的工业与医疗设备。此外，采用SOT-23-5小型化封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。整体设计符合RoHS环保规范，无铅无卤，满足现代绿色电子产品的要求。

BR24T01FVT-WE2因其小尺寸、低功耗与高可靠性，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括消费类电子产品中的电视、音响、路由器等设备的配置参数存储；工业控制系统中用于保存传感器校准数据、设备ID或运行日志；在通信模块如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee模组中作为MAC地址或其他网络配置信息的非易失性载体；也可用于医疗仪器、智能仪表和POS终端中记录关键操作数据。
　　由于其支持I2C接口且封装紧凑，特别适合空间受限的便携式设备，例如智能手环、电子标签、USB适配器和小型传感器节点。在汽车电子领域，该芯片可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或车窗控制单元中，存储用户偏好设置或系统状态信息。此外，在需要多点存储扩展的设计中，利用其地址选择功能可实现多个EEPROM协同工作，提升系统的灵活性与可维护性。整体来看，BR24T01FVT-WE2是一款通用性强、适用范围广的串行EEPROM解决方案。

M24C01-RMN6TP
　　AT24C01D-SSHM-T
　　CAT24C01Y-2G