BR24C21F-E2 是一款基于铁电随机存取存储器(FRAM)技术的非易失性存储芯片。该芯片由富士通(现为新唐科技旗下品牌)生产,具有低功耗、高读写耐久性和快速写入的特点,适用于需要频繁数据记录和低能耗的应用场景。其容量为 2Kb(256 字×8 位),采用 I2C 接口进行通信。
容量:2Kb (256 字×8 位)
接口:I2C
工作电压:1.8V 至 3.6V
工作电流:典型值 3mA(@ 400kHz,3.0V)
待机电流:典型值 1μA(最大值 10μA)
温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:8 引脚 SOIC 封装
数据保留时间:超过 10 年
写入次数:超过 10^12 次
BR24C21F-E2 的主要特性包括:
1. 高读写耐久性:相比传统的 EEPROM 和闪存,FRAM 技术提供更高的写入寿命,可达到 10^12 次以上。
2. 快速写入:无需写入延迟,数据可以立即存储,适合需要实时保存数据的应用。
3. 低功耗:在写入操作中消耗的能量远低于 EEPROM 和闪存,特别适合电池供电设备。
4. 简化的系统设计:由于不需要额外的写入脉冲或复杂的控制逻辑,系统设计得以简化。
5. 宽工作电压范围:支持从 1.8V 到 3.6V 的工作电压,适应多种电源环境。
6. 非易失性存储:即使在断电情况下,数据也能长久保存。
BR24C21F-E2 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化:用于数据日志记录、配置参数存储等。
2. 消费电子:如家电中的用户设置保存、状态信息记录。
3. 医疗设备:例如便携式健康监测设备的数据存储。
4. 计量仪器:如智能仪表中的校准数据和历史数据存储。
5. 电池管理系统:保存充电周期、电量信息等关键数据。
6. 物联网设备:适用于低功耗、高频率数据记录的 IoT 节点。
BR24C21F-GN, MB85RC2ML-GU