BR24C21F-E2 时间：2025/7/16 10:03:37 阅读：12

BR24C21F-E2 是一款基于铁电随机存取存储器（FRAM）技术的非易失性存储芯片。该芯片由富士通（现为新唐科技旗下品牌）生产，具有低功耗、高读写耐久性和快速写入的特点，适用于需要频繁数据记录和低能耗的应用场景。其容量为 2Kb（256 字×8 位），采用 I2C 接口进行通信。

参数

容量：2Kb (256 字×8 位)
　　接口：I2C
　　工作电压：1.8V 至 3.6V
　　工作电流：典型值 3mA（@ 400kHz，3.0V）
　　待机电流：典型值 1μA（最大值 10μA）
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8 引脚 SOIC 封装
　　数据保留时间：超过 10 年
　　写入次数：超过 10^12 次

特性

BR24C21F-E2 的主要特性包括：
　　1. 高读写耐久性：相比传统的 EEPROM 和闪存，FRAM 技术提供更高的写入寿命，可达到 10^12 次以上。
　　2. 快速写入：无需写入延迟，数据可以立即存储，适合需要实时保存数据的应用。
　　3. 低功耗：在写入操作中消耗的能量远低于 EEPROM 和闪存，特别适合电池供电设备。
　　4. 简化的系统设计：由于不需要额外的写入脉冲或复杂的控制逻辑，系统设计得以简化。
　　5. 宽工作电压范围：支持从 1.8V 到 3.6V 的工作电压，适应多种电源环境。
　　6. 非易失性存储：即使在断电情况下，数据也能长久保存。

应用

BR24C21F-E2 广泛应用于以下领域：
　　1. 工业自动化：用于数据日志记录、配置参数存储等。
　　2. 消费电子：如家电中的用户设置保存、状态信息记录。
　　3. 医疗设备：例如便携式健康监测设备的数据存储。
　　4. 计量仪器：如智能仪表中的校准数据和历史数据存储。
　　5. 电池管理系统：保存充电周期、电量信息等关键数据。
　　6. 物联网设备：适用于低功耗、高频率数据记录的 IoT 节点。