类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30 A
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　导通电阻（RDS(on)）：7.2 mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：10 V
　　功率耗散（PD）：100 W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

BR2330/1HF 具备多项优异性能，首先其采用 Rohm 先进的沟槽式 MOSFET 工艺，显著降低了导通电阻 RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的 RDS(on) 典型值仅为 7.2 mΩ，在高电流应用中能够有效降低功率损耗。
　　此外，BR2330/1HF 具有优异的热稳定性与高功率耗散能力，其 TO-220 封装具备良好的散热性能，能够在高负载条件下稳定运行。该器件的最大漏极电流可达 30 A，适用于高功率密度设计的电源转换器和电机驱动器。
　　在可靠性方面，BR2330/1HF 设计了较高的栅极电压容限，支持在 10 V 栅极驱动下实现快速开关，减少开关损耗，同时具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，适用于高可靠性要求的工业和汽车电子应用。
　　最后，该 MOSFET 的封装形式为标准 TO-220，便于 PCB 设计与安装，广泛适用于各种功率电子设备的制造和维修。

BR2330/1HF 主要应用于各类功率电子设备中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统、电源开关、负载开关以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于高效能、高可靠性的电源管理模块中。
　　在汽车电子领域，BR2330/1HF 可用于车载电源系统、电动车窗控制、电动座椅调节系统等应用场景。在消费类电子产品中，它也常用于笔记本电脑、台式机主板的 VRM（电压调节模块）和各类电源适配器中。
　　此外，该 MOSFET 还广泛用于 UPS（不间断电源）、通信电源、服务器电源、LED 驱动器等高可靠性工业设备中，作为主开关或同步整流元件，提升整体系统效率和稳定性。

Si4410BDY, IRF3205, FDP3632, STB40NF03L