类型: N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds): 20V
　　栅源电压(Vgs): ±12V
　　连续漏极电流(Id): 4.5A
　　导通电阻(Rds(on)): 15mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on)): 21mΩ @ Vgs=2.5V
　　功耗(Pd): 2W
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装类型: SOP

BR215F_R1_00001 MOSFET 具备低导通电阻的特性，这是其在电源管理应用中表现出色的关键因素之一。该器件在Vgs=4.5V时的Rds(on)为15mΩ，而在更低的Vgs电压（2.5V）下，Rds(on)为21mΩ，这种特性使得该MOSFET适用于电池供电设备和其他需要高效能、低电压操作的应用场景。
　　此外，BR215F_R1_00001 采用SOP封装，具有良好的散热性能，并且在有限的空间内提供了较高的电流承载能力。这使得它在小型化电子设备中特别受欢迎，例如智能手机、便携式充电器、DC-DC转换器和负载开关等应用。
　　该器件的额定漏源电压为20V，最大连续漏极电流为4.5A，这使其在中等功率应用中表现出色。同时，其栅源电压限制为±12V，确保在各种驱动条件下不会发生栅极击穿。BR215F_R1_00001 的最大功耗为2W，在高温环境下仍能维持良好的稳定性。
　　该MOSFET的存储和工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，适用于多种工业环境。

BR215F_R1_00001 MOSFET 主要用于需要高效能和低导通电阻的电源管理电路中。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统以及便携式电子设备中的电源开关。此外，该器件也常用于电机驱动、电源管理IC（PMIC）中的功率开关，以及各种低电压（如3.3V或5V）系统中的高效能功率控制应用。
　　由于其低Rds(on)和SOP封装的小型化设计，BR215F_R1_00001 特别适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严格的产品中。同时，其良好的热性能也使其适用于高负载的工业电源系统，如电源适配器、LED驱动电路和电源分配系统等。

Si2302DS, 2N7002, AO3400A, FDN340P