BR215F T/R 时间：2025/8/15 4:41:35 阅读：20

BR215F T/R 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高效率、低功耗应用而设计，适用于各种电子设备中的开关和功率控制功能。T/R表示该器件是以卷带（Tape and Reel）形式提供的，适合自动化装配和批量生产使用。BR215F T/R以其优异的电气性能和可靠性，在工业和消费电子领域得到了广泛应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：15A
　　最大源极-漏极电压：60V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值）
　　功率耗散：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

BR215F T/R具有多项优异的电气和物理特性。首先，它的最大漏极电流为15A，能够在较高负载条件下稳定工作，适用于需要较大电流驱动的应用场景。其次，源极-漏极的最大电压为60V，使其能够在中等电压范围内安全运行，满足多种电源管理需求。此外，BR215F T/R的导通电阻较低，典型值为45mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。低导通电阻也减少了发热，提高了器件的热稳定性。
　　该MOSFET的功率耗散能力为80W，表明其具有较强的散热能力，适合在高功率环境中使用。封装形式为TO-220，这种封装方式具有良好的散热性能，并且易于安装和维护。BR215F T/R的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应了各种严苛的工作环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　此外，该器件的栅极-源极电压最大为±20V，提供了较高的栅极控制灵活性和安全性。其高耐压能力和优异的开关特性使其在DC-DC转换器、电源开关、马达控制等应用中表现出色。BR215F T/R还具有良好的抗静电能力和过热保护性能，进一步增强了其在实际应用中的稳定性和可靠性。

应用

BR215F T/R广泛应用于多个领域。在工业自动化设备中，它常用于电源管理和马达控制电路，提供高效的开关操作。在消费电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，该MOSFET用于DC-DC转换器和负载开关，确保设备的高效运行和节能特性。此外，它也适用于电池管理系统（BMS），在电动工具、电动自行车等设备中作为功率开关使用。在汽车电子领域，BR215F T/R可以用于车载充电器、LED照明驱动和各种电源管理模块，满足汽车电子对可靠性和耐环境能力的高要求。