时间：2025/8/15 4:42:46
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BR210_R1_00001是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，设计用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET具备低导通电阻和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.6A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：210mΩ（最大值）
封装类型：SOP（表面贴装封装）
BR210_R1_00001具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件还具备较高的耐压能力，能够承受瞬态过电压情况，适用于恶劣的工业环境。此外，其SOP封装形式适用于自动化贴片生产，具有良好的热稳定性和可靠性。
该MOSFET的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使得其能够与常见的控制器和驱动电路直接连接，无需额外的电平转换电路。这种特性降低了设计复杂度，并提高了系统的集成度。
BR210_R1_00001适用于多种电源管理应用，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路和工业自动化控制系统。此外，它还可用于电池供电设备中的功率控制电路，以提高能效并延长电池寿命。
Si4440DY-T1-GE3, IRFZ44N, FDPF6N50
