时间：2025/8/15 10:29:40
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BR210F T/R是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等电子系统中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或SOT-223），适合高密度PCB布局。作为一款增强型MOSFET，BR210F T/R在导通电阻、开关速度和耐压能力方面具有良好的平衡性能，适用于低电压、中等功率的开关控制场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.1A（在Vgs=4.5V时）
导通电阻（Rds(on)）：最大值80mΩ（典型值60mΩ）
功率耗散（Pd）：1W（SOT-23封装）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23或SOT-223（具体取决于供应商）
栅极电荷（Qg）：8.5nC（典型值）
输入电容（Ciss）：360pF（典型值）
BR210F T/R具备多项优良的电气和物理特性，适用于多种电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下功率损耗更低，提高了整体系统的效率，特别适用于电池供电设备或需要高效能转换的电路。其次，该MOSFET具有较快的开关速度，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高响应速度，适合高频开关应用。
此外，BR210F T/R支持较高的连续漏极电流（Id），在4.1A的额定电流下仍能保持稳定工作，适用于中等功率负载的控制。其20V的漏源耐压能力也为电路设计提供了足够的安全裕量，防止电压尖峰对器件造成损害。
该器件采用SOT-23或SOT-223封装，具有良好的热稳定性和散热性能。SOT-223封装尤其适用于需要更高功率耗散能力的应用场景。封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时支持自动贴片工艺，提高生产效率。
在工作温度方面，BR210F T/R可在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件，如汽车电子、工业控制和户外设备等。其稳定性和可靠性使其成为多种嵌入式系统和电源管理电路中的优选器件。
BR210F T/R广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关控制、DC-DC转换器、LED驱动电路、电池充电与管理模块、电机驱动电路、工业自动化控制系统、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、便携式音频设备）以及汽车电子模块（如车载充电器、车灯控制单元）等。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于需要高效能、低功耗设计的场合。
Si2302DS, 2N7002, FDV301N, BSS138
