时间：2025/12/27 7:27:57
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BQPF2N60C是一款由Brightking（长电科技）生产的高压MOSFET功率晶体管，采用先进的平面栅极工艺制造，具备高耐压、低导通电阻和优良的开关性能。该器件属于N沟道增强型MOSFET，设计用于在高电压条件下实现高效的功率转换与控制。其额定漏源击穿电压高达650V，能够稳定工作于多种电源管理场景中，尤其适用于需要承受瞬态高压冲击的应用场合。BQPF2N60C封装形式为TO-220F，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合安装在标准散热片上以提升长期运行的可靠性。该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、LED驱动电源、逆变器以及电机控制等工业和消费类电子设备中。
由于采用了优化的单元结构设计，BQPF2N60C在保持高耐压的同时有效降低了导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。此外，该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作环境下维持正常工作。器件符合RoHS环保要求，并通过了多项国际安全认证，确保其在批量生产和长期使用中的可靠性和一致性。
型号：BQPF2N60C
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）@25°C：2A
脉冲漏极电流（Idm）：8A
最大功耗（Pd）：50W
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：≤3.0Ω
导通电阻（Rds(on)) @Vgs=5V：≤4.5Ω
阈值电压（Vth）：2~4V
输入电容（Ciss）：典型值750pF
输出电容（Coss）：典型值150pF
反向恢复时间（trr）：典型值35ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220F
BQPF2N60C具备优异的电气特性和热稳定性，是专为高效率、高可靠性电源系统设计的关键元件。其最显著的特点之一是高达650V的漏源击穿电压，使其能够在高压环境中安全运行，适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的离线式开关电源设计。该器件在Vgs=10V时的导通电阻不超过3.0Ω，这一低Rds(on)值有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其适合对温升敏感的设计应用。
该MOSFET采用平面栅极技术，结合优化的元胞布局，不仅增强了器件的耐压能力，还改善了电流分布均匀性，降低了热点形成的风险，从而提升了长期工作的可靠性。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为25nC，有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，降低开关损耗，特别适合高频开关应用如LLC谐振变换器或反激式电源拓扑。
器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬间过压或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。同时，其寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr约35ns），可减少在桥式或续流应用中产生的反向恢复电流尖峰，抑制电磁干扰（EMI）问题。
TO-220F封装提供了优良的散热路径，外部裸露焊盘可以直接连接到PCB的地层或加装散热器，实现高效热传导。这种封装也便于手工焊接和自动化装配，兼容主流生产工艺。此外，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环试验，确保在严苛环境下的长期稳定性。
BQPF2N60C主要应用于各类中低功率的高压电源系统中。典型用途包括：开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和半桥拓扑结构中作为主开关管使用；AC-DC适配器，如手机充电器、笔记本电脑电源、家用电器内置电源模块等；LED恒流驱动电源，尤其是在隔离式降压或回扫架构中实现高效能量转换；光伏微逆变器中的直流侧开关单元；小型UPS不间断电源和备用电源系统；工业控制设备中的DC-DC转换模块；以及电机驱动电路中的功率开关环节。
由于其高耐压特性，该器件非常适合用于需要直接接入市电的离线式电源设计，无需额外的前置稳压电路即可应对电网波动和浪涌电压。在LED照明领域，BQPF2N60C可用于构建高功率因数、低谐波失真的驱动方案，满足节能标准要求。此外，在家电产品如空调、洗衣机、空气净化器的内部电源管理单元中也有广泛应用。其稳定的性能和成熟的封装工艺使其成为中小功率段替代传统晶体管的理想选择。
FQP2N60C, KSP2N60C, STP2N60C, 2N60C
