类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：60 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：最小100，典型值200（在IC=10mA时）
　　过渡频率（fT）：最高可达7 GHz
　　集电极-基极反向击穿电压（VCBO）：70 V
　　发射极-基极反向击穿电压（VEBO）：4 V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：SOT-343

BPX43-4/5晶体管具备卓越的高频性能，其过渡频率（fT）高达7 GHz，使其非常适合用于UHF和VHF频段的射频放大应用。这一高频能力得益于其先进的硅外延基制造工艺，该工艺有效降低了基区电阻和寄生电容，从而提升了器件的整体速度和响应能力。此外，该晶体管在低电流工作状态下仍能保持较高的直流电流增益（hFE），典型值可达200，在IC=10mA时保证最小100的增益，这对于小信号放大器的设计至关重要，有助于提高系统的信噪比和灵敏度。
　　另一个关键特性是其良好的线性度和低失真表现，这使得BPX43-4/5在需要高保真信号放大的通信系统中成为理想选择。例如，在FM广播发射机或无线麦克风系统中，该器件能够有效减少谐波失真和互调失真，确保输出信号的纯净度。同时，其最大集电极-发射极电压达到60V，具备较强的耐压能力，能够在瞬态电压波动或负载突变的情况下保持稳定工作，提高了系统可靠性。
　　该器件还具有出色的温度稳定性，工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适用于极端环境下的工业和户外设备。SOT-343小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，便于在高密度电路板上进行自动化装配。此外，BPX43-4/5符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。其低噪声系数（NF）在1 GHz以下频率范围内表现优异，进一步增强了其在低噪声放大器（LNA）应用中的竞争力。综上所述，BPX43-4/5凭借其高频、高增益、低噪声和高可靠性的综合优势，成为射频模拟电路中不可或缺的核心元件之一。

BPX43-4/5广泛应用于高频和射频电子系统中，尤其适用于需要高增益、低噪声和良好线性度的小信号放大场景。一个典型的应用领域是无线通信基础设施，如蜂窝基站的前端接收模块，其中该晶体管被用作低噪声放大器（LNA），用于增强微弱的接收到的射频信号，同时最大限度地减少引入的噪声，从而提升整体系统的接收灵敏度。此外，在广播设备中，如FM发射机和电视信号转发器，BPX43-4/5常用于中频（IF）或射频（RF）放大级，提供稳定的增益和低失真输出，确保音频和视频信号的高质量传输。
　　在工业射频应用中，该器件可用于射频激励源中的驱动放大器，例如在等离子体发生器、射频加热系统或材料处理设备中，BPX43-4/5能够将前级信号有效放大，以驱动后续的大功率射频晶体管或真空管。其高fT和宽工作温度范围使其在高温工业环境中依然保持稳定性能。
　　此外，BPX43-4/5也适用于测试与测量仪器，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中的内部放大电路，用于保障仪器在宽频率范围内的一致性和精度。在消费类无线产品开发原型中，工程师也常选用该器件进行射频电路验证，因其性能稳定且易于获取。总之，从通信到工业再到测试设备，BPX43-4/5凭借其可靠的高频特性，在多种需要高性能BJT的场合中发挥着重要作用。

BFR92A
　　BFP740
　　MPSH10
　　2SC3356