类型：PIN光电二极管
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　材料：硅（Si）
　　响应波长范围：430 nm ~ 1100 nm
　　峰值响应波长：约905 nm
　　响应时间（上升/下降）：约10 ns @ VR = 10 V, RL = 50 Ω
　　暗电流：≤ 2 nA @ VR = 10 V
　　结电容：约18 pF @ VR = 10 V
　　光敏面积直径：约0.8 mm
　　工作温度范围：-40°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-40°C ~ +100°C
　　最大反向电压：60 V
　　功耗：典型值50 mW

BPW34D的核心优势在于其高速响应能力与高灵敏度的结合。其PIN结构设计显著扩展了耗尽层宽度，这不仅有效降低了结电容，还提升了载流子的漂移速度，从而实现纳秒级别的快速响应时间，非常适合高频调制光信号的检测。在典型工作条件下（反向偏压10V，负载电阻50Ω），其上升和下降时间均约为10ns，能够准确捕捉快速变化的光脉冲，如在红外遥控、激光测距或光纤通信接收端的应用中表现优异。
　　该器件具备宽广的光谱响应范围，从可见光蓝光区域（430nm）延伸至近红外波段（1100nm），峰值响应位于905nm附近，正好覆盖许多红外发射二极管和激光器的工作波长，因此在红外感应系统中具有天然匹配优势。这种宽谱响应也使其可用于白光LED照明检测或多波长光源识别系统。
　　BPW34D具有低暗电流特性（在10V反向偏压下不超过2nA），这意味着在无光照条件下漏电流极小，有助于提高信噪比，增强弱光检测能力。同时，其结电容较低（约18pF），有利于高频信号传输和减少信号失真，特别适合高速光电探测电路设计。
　　该器件支持光伏模式和光导模式两种工作方式。在无需外部电源的低功耗应用中可采用光伏模式；而在要求更高响应速度和线性度的场景下，则可通过施加反向偏压进入光导模式运行。其表面贴装封装形式便于自动化生产装配，节省空间，适合高密度PCB布局。整体上，BPW34D以其可靠性、稳定性和优异的光电性能，成为众多光电检测应用中的首选元件之一。

BPW34D广泛应用于需要快速、精确光信号检测的各种电子系统中。在消费类电子产品中，它常用于红外遥控接收模块，能够高效捕捉来自电视、空调等设备遥控器发出的调制红外信号，并将其转换为电信号进行解码处理。由于其响应速度快且对905nm左右波长高度敏感，非常适合此类应用场景。
　　在工业自动化领域，BPW34D被集成于光电开关、光栅、编码器和物体检测传感器中，用于非接触式位置检测、计数和运动控制。例如，在流水线上通过检测物体遮挡光路来实现自动计数或触发机械动作，其高速响应确保了系统的实时性和准确性。
　　在光通信系统中，尤其是短距离红外数据传输（如IrDA兼容系统或简单光链路），BPW34D可用作接收端光电探测器，将调制的光信号还原为原始电信号。虽然不适用于高速光纤通信主干网，但在低成本、中低速率的数据传输方案中表现出良好的性价比。
　　此外，BPW34D也常见于科学仪器和医疗设备中，如脉搏血氧仪、烟雾探测器、激光功率监测仪和光谱分析装置。在这些设备中，它负责将微弱的光学信号转化为可测量的电流信号，配合放大和滤波电路完成关键参数的采集。
　　教育实验和DIY项目中，BPW34D因其易于使用、性能稳定而受到欢迎，常被用于制作简易光通信系统、光速测量实验、太阳能辐射强度检测等教学演示装置。其宽温工作范围和坚固的封装也使其适用于户外环境监测设备，如光照强度传感器或天气站组件。

BPW34S
　　BPW34
　　TEMD6200FX01
　　OSRAM SFH 2400
　　Vishay TEMD5110X01