时间：2025/9/15 13:36:54
阅读：24
BPT4900A 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）设计和生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特性。由于其卓越的性能，BPT4900A 被广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种功率开关电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（典型值为6.5mΩ）
功耗（Pd）：3.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
BPT4900A 具有出色的电气性能和可靠性，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提高系统效率。该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了优异的热稳定性和耐用性，能够在高电流和高温条件下稳定工作。
此外，BPT4900A 的栅极驱动电压范围较宽，可以在4.5V至20V之间正常工作，使其兼容多种驱动电路设计。器件内部还集成了防静电保护功能，增强了抗干扰能力和使用寿命。
在封装方面，BPT4900A 采用标准的TO-220和D2PAK封装形式，便于散热和安装，适用于各种高功率密度和高散热要求的应用场景。
BPT4900A 常用于各类电源管理电路中，包括DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（如笔记本电脑和电动工具中的电池保护电路）。
此外，该器件还适用于工业自动化设备、通信电源、UPS不间断电源系统、LED照明驱动电路等需要高效率功率控制的场合。
STP4900A、IRF4905、FDP4900A
