类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　RDS(on)（最大值）：13.7mΩ（在VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.3V至3.5V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　技术系列：OptiMOS?

BPS50NPEIEC采用了英飞凌先进的OptiMOS?技术，具备极低的导通电阻，从而降低了功率损耗，提高了系统效率。该器件的RDS(on)仅为13.7mΩ，使得在高电流工作时也能保持较低的温升，提高了整体系统的可靠性。此外，该MOSFET具有出色的热管理和短路耐受能力，能够在高负载条件下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种栅极驱动器的设计。PG-HSOF-8封装提供了良好的热性能和电气性能，同时支持表面贴装工艺，适用于高密度PCB布局。
　　BPS50NPEIEC还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时高压和大电流冲击，适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。此外，该器件符合AEC-Q100汽车电子标准，适用于汽车电源系统、电机控制和DC-DC转换器等场景。其内部结构优化设计，使得开关损耗更低，从而进一步提升系统效率，尤其适用于高频开关应用。

BPS50NPEIEC广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、服务器电源、工业自动化控制和汽车电子等。在新能源汽车领域，BPS50NPEIEC可用于车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器以及高压电池管理系统等关键模块。此外，该器件也适用于高功率密度的开关电源（SMPS）设计，能够满足现代电子设备对高效、节能和小型化的要求。

BSC050N04LS G、BSC059N04LS G、IPB60R045C7、IRF3710