BPS255WE 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于各种高功率和高频应用,具备良好的热稳定性和可靠性。BPS255WE 采用 5 引脚 TO-252(DPAK)封装形式,适合表面贴装工艺,广泛用于汽车电子、电源管理和电机控制等领域。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):130A
导通电阻(Rds(on)):4.3mΩ(典型值)
功率耗散(Ptot):140W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-252(DPAK)
栅极电荷(Qg):70nC(典型值)
输入电容(Ciss):2600pF(典型值)
BPS255WE MOSFET 具备多项优异特性,使其在高功率和高频应用中表现出色。
首先,该器件的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为 4.3mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。这对于功率转换器、电机驱动和电池管理系统等应用尤为重要。
其次,该 MOSFET 采用先进的沟槽式技术,优化了电流传导路径,提高了电流承载能力。在 Vgs = 10V 时,其连续漏极电流可达 130A,适用于高电流负载的应用场景。
此外,BPS255WE 的封装形式为 TO-252(DPAK),具有良好的热管理能力,能够有效散热,从而提高器件在高功率环境下的稳定性与寿命。这种封装也便于表面贴装,适合现代自动化生产流程。
该器件的栅极驱动特性也经过优化,具备较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),从而减少了开关损耗并提高了开关速度。这使得 BPS255WE 非常适合用于高频开关电路,如 DC-DC 转换器、同步整流器等。
最后,BPS255WE 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,具有良好的温度适应性,适合在恶劣环境中使用,如汽车电子系统、工业控制设备等。综合来看,BPS255WE 是一款性能优异、可靠性高的功率 MOSFET,适用于多种高性能功率电子系统。
BPS255WE 主要应用于需要高效能功率开关的场合。首先,在汽车电子领域,该器件可用于电动车辆的电池管理系统、电机控制器以及车载充电器等关键系统,其低导通电阻和高电流能力可有效提升系统效率和续航能力。
其次,在工业电源和功率转换设备中,BPS255WE 可用于 DC-DC 转换器、同步整流器、开关电源(SMPS)以及负载开关等应用,其高效率和高可靠性有助于提高整体系统的稳定性和能效。
此外,该 MOSFET 还广泛用于电机控制、电动工具、逆变器及不间断电源(UPS)系统中,其出色的导通特性和热管理能力能够满足高负载和高频工作的需求。
对于消费类电子产品,如大功率 LED 驱动、智能家电中的电机控制模块等,BPS255WE 也能提供可靠的功率开关解决方案,满足小型化和高效率的设计要求。
BSC050N03LS、BPAK255E、IPB013N03LA、BSC040N03MS、BSC060N03MS