时间：2025/12/27 19:51:06
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BPS130-HG100P-3S是一款由Bright Power Semiconductor（强茂股份有限公司）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式肖特基技术，结合平面工艺优化，在保证低正向导通压降的同时有效抑制了反向漏电流，提升了整体能效与可靠性。BPS130-HG100P-3S的额定电压为100V，最大平均整流电流可达13A，适用于开关模式电源、DC-DC转换器、逆变器及功率因数校正等中高功率场景。其封装形式为TO-277（也称DPAK-3L），具备良好的热传导性能和紧凑的占位面积，适合自动化贴片生产。该器件符合RoHS环保标准，并具有无卤素（Halogen-Free）特性，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。此外，BPS130-HG100P-3S在高温工作条件下仍能保持稳定性能，适用于工业控制、通信电源以及新能源领域中的各类电源模块。
型号：BPS130-HG100P-3S
类型：肖特基势垒二极管
封装：TO-277（DPAK-3L）
最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
最大直流阻断电压（VR）：100V
平均整流电流（IF(AV)）：13A
正向压降（VF）：典型值0.85V（在13A，Tj=25°C时）
最大正向压降（VF(max)）：1.0V（在13A，Tj=25°C时）
反向漏电流（IR）：最大5μA（在100V，Tj=25°C时）；高温下不超过400μA（在100V，Tj=125°C时）
浪涌电流能力（IFSM）：100A（单个半正弦波，8.3ms）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
热阻（RθJC）：约1.5°C/W（典型值）
BPS130-HG100P-3S采用沟槽式肖特基结构设计，通过精确控制金属-半导体接触界面，显著降低了传统肖特基二极管常见的反向漏电流问题，同时维持了极低的正向导通压降。这种结构优化使得器件在高频率开关应用中表现出优异的能量转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下节能效果明显。该器件的正向压降低至1.0V以下（在13A时），大幅减少了导通损耗，有助于提升系统整体能效。
该二极管具备出色的热稳定性，能够在高达+150°C的结温下持续工作，确保在严苛环境下的长期可靠性。其TO-277封装具有较低的热阻（约1.5°C/W），可有效将内部热量传导至PCB，避免局部过热导致的性能下降或失效。此外，该封装支持表面贴装工艺，适用于自动化回流焊生产线，提高了制造效率和产品一致性。
BPS130-HG100P-3S还具备较强的浪涌电流承受能力，最大可达100A（8.3ms半正弦波），使其能够应对开机瞬间的大电流冲击，适用于频繁启停或负载变化剧烈的应用场合。器件的反向恢复时间极短，几乎无反向恢复电荷（Qrr接近零），因此不会产生明显的开关损耗或电磁干扰，特别适合高频DC-DC变换器和同步整流拓扑。
该产品通过AEC-Q101车规级认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于车载电源系统。同时，其无铅、无卤素的设计符合国际环保法规要求，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。综合来看，BPS130-HG100P-3S是一款高性能、高可靠性的中压大电流肖特基二极管，兼顾效率、热管理和环保需求。
BPS130-HG100P-3S广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效能量转换和良好热管理的场景。常见应用包括服务器电源、通信基站电源、工业用DC-DC转换模块以及太阳能微逆变器中的次级侧整流电路。由于其100V耐压等级和13A整流能力，非常适合用于48V转12V或12V转5V/3.3V的非隔离型降压变换器中作为续流二极管或防倒灌二极管。
在消费类电子产品中，该器件可用于大功率适配器、笔记本电脑电源板以及LED驱动电源中，提供快速响应和低损耗的整流功能。其低正向压降特性有助于减少发热，提高设备运行稳定性，延长使用寿命。
在新能源领域，BPS130-HG100P-3S可用于电动汽车车载充电机（OBC）中的辅助电源单元，或充电桩内部的低压电源模块，承担整流与保护作用。此外，在UPS不间断电源系统中，它可作为输出整流元件，确保在市电中断时电池供电路径的单向导通性。
由于其具备良好的高温工作性能和浪涌耐受能力，该器件也适用于户外通信设备、轨道交通控制系统等对可靠性要求较高的工业环境。总体而言，BPS130-HG100P-3S适用于所有需要高效率、高电流密度和高可靠性的100V级别肖特基二极管的应用场合。
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"SBT130A-100SP5LF",
"STPS130U100S",
"MBR130100CT",
"SD130A100C"
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