类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（在VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：320W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8
　　安装类型：表面贴装

BPS100NPEIEC具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时最大仅为5.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用英飞凌的SGS技术，能够有效减少栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而提升开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，BPS100NPEIEC具有良好的热管理能力，PG-HSOF-8封装设计使得热量可以更有效地从芯片传导到PCB板上，增强了器件的散热性能。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，确保在突发电压冲击情况下仍能保持稳定工作。
　　在汽车电子应用中，BPS100NPEIEC通过了AEC-Q101认证，满足汽车工业对可靠性和耐用性的严苛要求。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于高温环境下的车载系统，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）和DC-DC转换器等。

BPS100NPEIEC广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在汽车电子领域，该器件常用于电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的逆变器、DC-DC转换器、车载充电器以及电机控制模块。在工业应用中，BPS100NPEIEC可用于高效电源供应器、伺服驱动器、变频器及UPS系统。此外，它还适用于太阳能逆变器、储能系统和高功率LED照明驱动电路，满足高效率和高可靠性的设计需求。

BPAK008NPEI1633A
　　BPAK008NPEI1633B