工作电压：1.2V - 3.6V
　　正向电流：100mA（最大）
　　反向电压：5V
　　功耗：150mW
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　发射波长：870nm - 940nm
　　封装类型：SMT（表面贴装技术）

BPD-HQDA3B-TRB的主要特性包括高效率的红外光发射、宽工作温度范围以及优异的稳定性和可靠性。由于其采用GaAs材料制造，因此能够提供高亮度的红外光输出，即使在低电流驱动下也能保持良好的发光效率。该器件的SMT封装设计使其适用于自动化装配流程，有助于提高生产效率和降低制造成本。此外，BPD-HQDA3B-TRB具备良好的抗静电能力，能够在多种环境中稳定工作。其封装材料通常具有较高的耐热性和机械强度，能够有效保护内部的LED芯片免受外界环境的影响。这种红外发射器还具有快速响应时间，适用于高频调制应用，如红外遥控、光通信等。此外，该器件的长寿命特性使其在长期运行的应用中表现出色，减少了维护和更换的频率。

BPD-HQDA3B-TRB广泛应用于各种需要红外光隔离和信号传输的电子设备中。常见的应用包括光耦合器的发射端、工业控制系统的光信号发射器、电源管理系统中的隔离反馈电路、通信设备中的光信号调制器等。此外，它还可用于红外遥控器、传感器系统、自动门控系统、安防设备以及医疗电子设备中的光信号发射部分。由于其高可靠性和宽温度范围，该器件也适用于一些恶劣环境下的工业应用。

BPD-HQDA3B-TRB的替代型号包括Everlight的其他红外发射器型号，如BPD-HQDA3B-TR或类似的BPD-HQDA4B-TRB。其他制造商如Vishay、TT Electronics等也有类似的红外发射器可供替代，如Vishay的VLED-3C43F或TT Electronics的OP123系列。在选择替代型号时，需确保其波长、封装类型、工作电流等参数与原型号相匹配，以确保电路的正常工作。