BPA08SK 时间：2025/12/27 17:32:37 阅读：15

BPA08SK是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理单元以及电池驱动设备中。该器件采用先进的制程技术，具备低导通电阻和优异的热稳定性，能够在较小的封装尺寸内实现较高的电流承载能力。BPA08SK以其出色的电气性能和可靠性，在消费电子、工业控制和便携式设备领域得到了广泛应用。其小型化封装不仅节省了PCB空间，还提高了系统集成度，是现代高效能电源解决方案中的理想选择之一。器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，确保在各种工作环境下的稳定运行。

参数

型号：BPA08SK
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：14A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：56A
　　导通电阻RDS(on)：8.8mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：11mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：1370pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：470pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容Crss：90pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷Qg：21nC（@VGS=10V）
　　功耗Pd：2.5W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：HSON-8（Power HSO8）
　　安装类型：表面贴装SMD

特性

BPA08SK具有极低的导通电阻，这使得它在大电流开关应用中能够显著降低导通损耗，从而提高整体电源转换效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为8.8mΩ，在4.5V驱动条件下也能保持在11mΩ以下，适用于宽范围的栅极驱动电压场景，包括由逻辑电平信号直接驱动的应用。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池续航时间并减少发热。
　　该器件采用HSON-8封装，具有优异的散热性能和紧凑的外形尺寸，非常适合对空间要求严格的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。封装底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至地层或散热层，从而提升热管理效率。
　　BPA08SK具备良好的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg=21nC）和米勒电容（Crss=90pF），这意味着在高频开关操作中可以减少驱动损耗和开关延迟，提升系统的动态响应能力和效率。同时，其输入、输出电容值适中，有助于减少EMI干扰，优化电磁兼容性表现。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力与稳健的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。此外，器件的工作结温可达+150℃，支持高温环境下的长期可靠工作，适合工业级应用需求。所有参数均经过严格测试，确保批次一致性与长期可靠性。

应用

BPA08SK广泛应用于各类需要高效直流电源转换的电子系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在多相供电架构中作为上下管使用，以实现高效率的能量转换。由于其低导通电阻和良好热性能，常被用于笔记本电脑、路由器、机顶盒等设备的主板电源模块。
　　在电池管理系统（BMS）和充电电路中，BPA08SK可用于充放电路径的通断控制，凭借其快速开关能力和低损耗特性，有效提升充放电效率并减少温升。此外，该器件也适用于负载开关电路，用于控制外设电源的开启与关闭，防止浪涌电流冲击系统主电源。
　　在电机驱动领域，特别是小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，BPA08SK可作为开关元件，实现精确的速度与方向控制。其高电流承载能力使其能够应对短时过载工况，保障驱动系统的稳定性。
　　其他应用还包括LED背光驱动、USB电源开关、热插拔控制器以及各种便携式消费类电子产品中的电源管理单元。由于其符合环保标准且可靠性高，BPA08SK也适用于医疗设备、工业传感器和IoT终端设备等对安全性和稳定性要求较高的场合。