型号：BPA04K
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：18A（@Tc=75℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：4.7mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻 RDS(on)：6.0mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：1900pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：630pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　最大功耗（Ptot）：2.8W（@Tc=75℃）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：S-Mini（P）

BPA04K具备出色的导通特性和开关性能，其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为4.7mΩ，在VGS=4.5V时也仅为6.0mΩ。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，特别适用于高电流密度的应用环境。低RDS(on)还意味着更小的发热，有助于提升系统长期运行的稳定性和可靠性。该器件采用ROHM专有的沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，进一步减小了导通电阻并增强了电流处理能力。
　　BPA04K支持4.5V及以上的栅极驱动电压即可实现良好导通，尤其在5V驱动条件下表现优异，因此非常适合与常见的逻辑控制器或PWM驱动IC直接接口，无需额外的电平转换或升压电路。这不仅简化了电路设计，还节省了PCB空间和物料成本。其阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了器件在低电压启动时也能可靠开启。
　　该MOSFET具有较高的输入阻抗和快速的开关响应能力，输入电容Ciss为1900pF，输出电容Coss为630pF，这些参数使其在高频开关应用中表现出较小的驱动损耗和较快的上升/下降时间。反向恢复时间trr为28ns，说明体二极管的恢复特性良好，有助于减少开关过程中的能量损耗和电压尖峰，降低EMI干扰风险。
　　S-Mini（P）封装不仅体积小巧，便于高密度组装，而且通过优化引脚布局和内部连接方式，提升了散热效率。封装底部设有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，从而有效控制结温上升。该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工业和车载环境要求。此外，BPA04K通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在振动、温度循环、湿度等恶劣条件下的耐久性得到了验证，可用于汽车电子系统中的辅助电源或负载开关模块。

BPA04K广泛应用于多种中低电压功率开关场景，尤其适用于对能效和空间布局有较高要求的电子设备。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器或主开关管，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提高转换效率，减少能量损耗。在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，BPA04K可用于电池充放电管理电路或负载开关，实现高效的电源通断控制。
　　在电机驱动领域，特别是小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，BPA04K可作为低端或高端开关使用，提供稳定的电流输出和快速响应能力。其高脉冲电流承载能力（IDM=72A）使其能够应对电机启动或堵转时的瞬态大电流冲击，保障系统安全运行。
　　此外，该器件也适用于LED背光驱动和恒流源电路，在需要精确控制电流且保持低功耗的照明系统中发挥重要作用。在工业自动化设备中，BPA04K可用于PLC模块、传感器供电开关或继电器替代方案，实现固态开关的高可靠性控制。
　　由于其符合车规级标准，BPA04K还可用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统电源、车身控制模块（BCM）、电动座椅或车窗升降器的驱动电路中。在这些应用中，器件需承受较大的温度变化和电磁干扰，而BPA04K凭借其稳定的电气性能和良好的热管理能力，能够确保长时间可靠运行。

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　　 "BPA04J",
　　 "RB04NM10",
　　 "DMG2400U"
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