型号：BPA04B
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.1A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：16.4A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：420pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：110pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：7.8nC @ Vgs=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini (相当于DFN1006)
　　安装方式：表面贴装

BPA04B具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下仅为23mΩ，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，特别适用于电池供电设备中需要高效能量转换的应用场景。低Rds(on)还意味着在相同电流负载下产生的热量更少，有助于提升系统的热稳定性和可靠性。此外，该器件在Vgs=4.5V时仍能保持28mΩ的低导通电阻，表明其在低压驱动条件下依然具有良好的性能表现，适合由逻辑电平信号直接驱动的电路设计，如微控制器控制的开关应用。
　　BPA04B采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构能够有效提高单位面积内的载流子迁移率，从而在小尺寸封装内实现更高的电流密度和更低的导通损耗。其小型S-Mini封装（DFN1006）不仅节省PCB空间，而且具有良好的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出，进一步增强散热能力。这一特点使得BPA04B非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积和功耗极为敏感的产品中。
　　该器件的输入电容（Ciss）为420pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动需求，减少了栅极驱动电路的负担，从而有助于降低整体系统功耗。同时，其栅极电荷（Qg）仅为7.8nC（@10V），意味着每次开关所需的能量较小，有利于提升开关频率并减少开关损耗。这对于DC-DC降压变换器、同步整流电路等高频应用尤为重要。反向传输电容（Crss）仅为40pF，有助于抑制米勒效应，提升器件在高速开关过程中的抗干扰能力和稳定性。
　　此外，BPA04B具有宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在恶劣温度环境下稳定运行，满足工业级和部分汽车级应用的需求。其通过AEC-Q101认证，说明其在可靠性测试（如高温反偏、温度循环、高加速应力测试等）中表现优异，具备用于车载信息娱乐系统、车身电子模块等汽车电子系统的资格。综合来看，BPA04B在性能、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是一款适用于多种中低功率开关应用的高性能N沟道MOSFET。

BPA04B广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。其典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑和智能手表中的电池充放电控制电路、负载开关和电源路径管理模块。由于其低导通电阻和小封装尺寸，非常适合作为电池与主系统之间的通断控制器件，既能减少待机功耗，又能避免因接触电阻过大导致的电压跌落问题。
　　在DC-DC转换器中，BPA04B常被用作同步整流开关管或低边开关，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中，能够有效降低传导损耗，提高转换效率。其快速开关特性和低栅极电荷使其在高频工作条件下依然保持良好的能效表现，适用于多相供电或紧凑型电源模块设计。
　　此外，BPA04B也常见于LED背光驱动电路、电机驱动模块中的H桥低边开关、USB端口的电流限制与热插拔保护电路等。在工业控制领域，可用于PLC模块中的信号切换、传感器供电控制等场合。由于其通过AEC-Q101车规认证，因此也可应用于汽车电子系统，如车载摄像头电源管理、车内照明控制、仪表盘电源开关等对可靠性和温度适应性要求较高的环境。

[
　　 "BSS138",
　　 "DMG2302U",
　　 "AO3400",
　　 "Si2302DS",
　　 "FDS6670A"
　　]