BP5336H 时间：2025/5/10 12:19:36 阅读：3

BP5336H是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，主要用于高频开关和功率管理应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率转换和驱动场景。
　　BP5336H的封装形式通常为TO-220或TO-252，具体取决于制造商的设计需求。其典型应用场景包括DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗：180W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

BP5336H具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频工作环境。
　　3. 优异的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
　　4. 内置反向恢复二极管，有助于减少开关噪声和振荡。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 提供强大的过流保护功能，确保在异常情况下不会损坏芯片。

应用

BP5336H广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器设计。
　　2. 各类电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机等。
　　3. 电池管理系统中的充放电控制和保护。
　　4. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
　　5. 工业自动化设备中的功率调节和驱动模块。
　　6. 消费类电子产品中的快速充电适配器和LED驱动电路。