BP3169AJ 时间：2025/5/10 8:58:27 阅读：17

BP3169AJ是一种高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下实现高效能表现。

参数

型号：BP3169AJ
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：50mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：1.2W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-252(DPAK)

特性

BP3169AJ具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻：Rds(on)仅为50mΩ（在Vgs=10V时），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关性能：优化的栅极电荷设计使得该MOSFET适合高频应用，从而减少开关损耗。
　　3. 高耐压能力：60V的最大漏源电压确保其能够应对各种高压场景。
　　4. 宽温工作范围：支持从-55℃到+175℃的工作温度范围，适用于恶劣环境条件下的应用。
　　5. 小尺寸封装：采用TO-252封装，便于PCB布局且节省空间。
　　6. 良好的热稳定性：即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能。

应用

BP3169AJ主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：作为主开关管或同步整流管，用于提升转换效率。
　　2. DC-DC转换器：用于降压或升压电路中的开关元件。
　　3. 电机驱动：为小型直流电机提供高效的驱动解决方案。
　　4. 负载开关：在便携式设备中实现快速、可靠的负载切换。
　　5. 过流保护：利用其低导通电阻特性设计过流保护电路。