BP3169AJ是一种高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够在高频条件下实现高效能表现。
型号:BP3169AJ
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):50mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):1.2W
工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
BP3169AJ具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为50mΩ(在Vgs=10V时),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能:优化的栅极电荷设计使得该MOSFET适合高频应用,从而减少开关损耗。
3. 高耐压能力:60V的最大漏源电压确保其能够应对各种高压场景。
4. 宽温工作范围:支持从-55℃到+175℃的工作温度范围,适用于恶劣环境条件下的应用。
5. 小尺寸封装:采用TO-252封装,便于PCB布局且节省空间。
6. 良好的热稳定性:即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能。
BP3169AJ主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,用于提升转换效率。
2. DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的开关元件。
3. 电机驱动:为小型直流电机提供高效的驱动解决方案。
4. 负载开关:在便携式设备中实现快速、可靠的负载切换。
5. 过流保护:利用其低导通电阻特性设计过流保护电路。
BP3169,
IRLZ44N,
AO3400,
FDP5800