时间：2025/5/10 18:23:38
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BP2867GJ是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景，例如电源管理、负载开关、DC-DC转换器等。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够显著提高系统的整体性能。
BP2867GJ的工作电压范围较广，能够在较高的漏源电压下稳定工作，同时具备良好的热性能和可靠性，适合各种工业及消费类电子产品。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
持续漏极电流(Id)：5.9A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
总功耗(Ptot)：1.1W
结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 超低导通电阻，减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 具备防静电保护功能，提升了产品的可靠性。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流开关。
3. 各种负载开关应用。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. 电机驱动电路中的功率控制。
6. 消费类电子设备中的过流保护。
IRF7409, FDMQ8207
